STP310N10F7の技術仕様
STMicroelectronics - STP310N10F7技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STP310N10F7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.8V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.7mOhm @ 60A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 315W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 12800 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 180A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STP310 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STP310N10F7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STP310N10F7 | STP32N65M5 | STP31N65M5 | STP30NF20 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII | MDmesh™ V | MDmesh™ V | STripFET™ |
| 基本製品番号 | STP310 | STP32N | STP31 | STP30 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 180 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 180A (Tc) | 24A (Tc) | 22A (Tc) | 30A (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 650 V | 650 V | 200 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電力消費（最大） | 315W (Tc) | 150W (Tc) | 150W (Tc) | 125W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.8V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.7mOhm @ 60A, 10V | 119mOhm @ 12A, 10V | 148mOhm @ 11A, 10V | 75mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±25V | ±25V | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 12800 pF @ 25 V | 3320 pF @ 100 V | 816 pF @ 100 V | 1597 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
STP310N10F7 - STMicroelectronicsのSTP310N10F7 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STP32N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 24A TO220ABSTP31N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 22A TO220STP30NF20STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 30A TO220ABSTP30NF10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
STP3300LF(10.0000MHZ)RAKONSTP315N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 180A TO220STP32NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N CH 500V 22A TO-220
STP30NE06LSTMicroelectronicsSTP30NF20 MOSSTMicroelectronicsSTP30NM30NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 300V 30A TO220ABSTP32N06LSTMicroelectronicsSTP30NF10 MOSSTMicroelectronics
STP33N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 24A TO220STP33N60DM6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 25A TO220STP30NE06ST-MARSTP30NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 25A TO220ABSTP33N10VBSEMISTP30NF10FPVBSEMI| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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