STP2NK100Zの技術仕様
STMicroelectronics - STP2NK100Z技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STP2NK100Z仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | SuperMESH™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.5Ohm @ 900mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 70W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 499 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.85A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STP2NK100 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STP2NK100Zと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STP2NK100Z | STP2NK90Z | STP300NH02L | STP2N80K5 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 499 pF @ 25 V | 485 pF @ 25 V | 7055 pF @ 15 V | 95 pF @ 100 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 基本製品番号 | STP2NK100 | STP2NK90 | STP300 | STP2N80 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 50µA | 2V @ 250µA | 5V @ 100µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 900 V | 24 V | 800 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±20V | 30V |
| シリーズ | SuperMESH™ | SuperMESH™ | STripFET™ | SuperMESH5™ |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 109.4 nC @ 10 V | 3 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 70W (Tc) | 70W (Tc) | 300W (Tc) | 45W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.85A (Tc) | 2.1A (Tc) | 120A (Tc) | 2A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.5Ohm @ 900mA, 10V | 6.5Ohm @ 1.05A, 10V | 2.2mOhm @ 80A, 10V | 4.5Ohm @ 1A, 10V |
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STP2N80FI MOSSTMicroelectronicsSTP2NK90ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 2.1A TO220ABSTP300NH02LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 24V 120A TO220ABSTP3020STMicroelectronicsSTP2NK90Z MOSSTMicroelectronicsSTP2N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 2A TO220STP2NS25STMicroelectronicsSTP2NC60STMicroelectronicsSTP2N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 620V 2.2A TO220STP2NC60 MOSSTMicroelectronicsSTP2N80STMicroelectronicsSTP2N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 2A TO220STP2N80FISTMicroelectronicsSTP2NA60STMicroelectronicsSTP2NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
STP3017ALFRAKONSTP2N105K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220STP3017ELFRAKON| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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