STP21N90K5の技術仕様
STMicroelectronics - STP21N90K5技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STP21N90K5仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | SuperMESH5™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 299mOhm @ 9A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1645 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 43 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 900 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18.5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STP21 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STP21N90K5と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STP21N90K5 | STP210N75F6 | STP21NM60N | STP21NM50N |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18.5A (Tc) | 120A (Tc) | 17A (Tc) | 18A (Tc) |
| 基本製品番号 | STP21 | STP210 | STP21N | STP21N |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | SuperMESH5™ | DeepGATE™, STripFET™ VI | MDmesh™ | MDmesh™ II |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1645 pF @ 100 V | 11800 pF @ 25 V | 1900 pF @ 50 V | 1950 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±25V | ±25V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) | 300W (Tc) | 140W (Tc) | 140W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 900 V | 75 V | 600 V | 500 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 299mOhm @ 9A, 10V | 3.7mOhm @ 60A, 10V | 220mOhm @ 8.5A, 10V | 190mOhm @ 9A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 100µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 43 nC @ 10 V | 171 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
STP21N90K5 - STMicroelectronicsのSTP21N90K5 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STP210N75F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 75V 120A TO220
STP210N15F6STMicroelectronicsSTP20NM60FP MOSSTMicroelectronics
STP2223BGA100-4611-05SUNSTP2223BGA100-4611-04SUNSTP21NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 17A TO220ABSTP21NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 18A TO220ABSTP20NM60FDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 20A TO220ABSTP2210QFPSUNSTP21N65M5 MOSSTMicroelectronicsSTP220N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 120A TO220STP20NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 15A TO220
STP20NM60FPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 20A TO220FPSTP2210QFP100-3998-01SUNSTP21N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 17A TO220ABSTP20NM60 P20NM60STMicroelectronicsSTP21NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 17A TO220ABSTP2223BGASUN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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