STP180NS04ZCの技術仕様
STMicroelectronics - STP180NS04ZC技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STP180NS04ZC仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | SAFeFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.2mOhm @ 40A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 330W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4560 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 33 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STP180 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STP180NS04ZCと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STP180NS04ZC | STP18N65M5 | STP18N65M2 | STP17N80K5 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | 31 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V |
| シリーズ | SAFeFET™ | MDmesh™ V | MDmesh™ M2 | MDmesh™ K5 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 1mA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 33 V | 650 V | 650 V | 800 V |
| 基本製品番号 | STP180 | STP18 | STP18 | STP17 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±25V | ±25V | ±30V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.2mOhm @ 40A, 10V | 220mOhm @ 7.5A, 10V | 330mOhm @ 6A, 10V | 340mOhm @ 7A, 10V |
| 電力消費（最大） | 330W (Tc) | 110W (Tc) | 110W (Tc) | 170W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4560 pF @ 25 V | 1240 pF @ 100 V | 770 pF @ 100 V | 866 pF @ 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | 15A (Tc) | 12A (Tc) | 14A (Tc) |
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STP18N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 15A TO220
STP17NF25 MOSSTMicroelectronicsSTP180NS04ZC-S MOSSTMicroelectronicsSTP18N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 12A TO220STP17N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 800V 14A TO220STP180N55F3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 55V 120A TO220ABSTP180N10F3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 120A TO220STP18NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 13A TO220
STP17NK40ZFPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 400V 15A TO220FPSTP17NF25STMicroelectronicsMOSFET N-CH 250V 17A TO220ABSTP17NK40ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 400V 15A TO220ABSTP18N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 13A TO220STP185N55F3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 55V 120A TO220ABSTP18N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 550V 16A TO220ABSTP18NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 13A TO220ABSTP180N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220STP18N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 13A TO220STP18N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 12A TO220| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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