STP14NM50Nの技術仕様
STMicroelectronics - STP14NM50N技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STP14NM50N仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | MDmesh™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 320mOhm @ 6A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 90W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 816 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STP14 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STP14NM50Nと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STP14NM50N | STP14NK60ZFP | STP14NF12FP | STP14NK60Z |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220FP | TO-220FP | TO-220 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 320mOhm @ 6A, 10V | 500mOhm @ 6A, 10V | 180mOhm @ 7A, 10V | 500mOhm @ 6A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) | 13.5A (Tc) | 8.5A (Tc) | 13.5A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 100µA | 4.5V @ 100µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 100µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 90W (Tc) | 40W (Tc) | 25W (Tc) | 160W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | STP14 | STP14 | STP14N | STP14N |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 |
| シリーズ | MDmesh™ II | SuperMESH™ | STripFET™ II | SuperMESH™ |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 816 pF @ 50 V | 2220 pF @ 25 V | 460 pF @ 25 V | 2220 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 600 V | 120 V | 600 V |
| Vgs（最大） | ±25V | ±30V | ±20V | ±30V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 27 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V | 21 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
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STP14NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 13.5A TO220FP
STP14NF10FPSTMicroelectronicsSTP14NF12FPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 120V 8.5A TO220FPSTP14NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 13.5A TO220ABSTP14NF06STMicroelectronicsSTP15N65M5STMicroelectronicsMOSFET N CH 650V 11A TO220STP150NF55STMicroelectronicsMOSFET N-CH 55V 120A TO220ABSTP150N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 80A TO220ABSTP15810STMicroelectronicsSTP150N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 110A TO220STP14NK50ZFPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 14A TO220FPSTP14ONF55STMicroelectronicsSTP14NF12STMicroelectronicsMOSFET N-CH 120V 14A TO220-3STP14NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 14A TO220ABSTP14NF10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 15A TO220ABSTP14NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 12A TO220ABSTP150NF04STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 80A TO220ABSTP14NF10 MOSSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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