STP13NM60Nの技術仕様
STMicroelectronics - STP13NM60N技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STP13NM60N仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | MDmesh™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 360mOhm @ 5.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 90W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 790 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STP13 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STP13NM60Nと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STP13NM60N | STP13N60M2 | STP13N80K5 | STP13NK60Z |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±25V | ±25V | ±30V | ±30V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 92 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 800 V | 600 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | MDmesh™ II | MDmesh™ II Plus | SuperMESH5™ | SuperMESH™ |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | STP13 | STP13 | STP13 | STP13 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 790 pF @ 50 V | 580 pF @ 100 V | 870 pF @ 100 V | 2030 pF @ 25 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電力消費（最大） | 90W (Tc) | 110W (Tc) | 190W (Tc) | 150W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) | 11A (Tc) | 12A (Tc) | 13A (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 360mOhm @ 5.5A, 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 450mOhm @ 6A, 10V | 550mOhm @ 4.5A, 10V |
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STP13N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 11A TO220STP13N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 12A TO220
STP13NM70NSTMicroelectronicsSTP13NK60ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 13A TO220ABSTP13NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 13A TO220FPSTP140N8F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 80V 90A TO220STP140NF75STMicroelectronicsMOSFET N-CH 75V 120A TO220ABSTP140N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 80A TO220STP140NF75 MOSSTMicroelectronicsSTP140N10F4STMicroelectronicsSTP140NF55 MOSSTMicroelectronicsSTP13N80K5 MOSSTMicroelectronicsSTP13N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 10A TO220STP13NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 11A TO220STP13N95K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 10A TO220STP140NF55STMicroelectronicsMOSFET N-CH 55V 80A TO220ABSTP13NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 12A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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