STL86N3LLH6AGの技術仕様
STMicroelectronics - STL86N3LLH6AG技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STL86N3LLH6AG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (5x6) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.2mOhm @ 10.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 4W (Ta), 60W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2030 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STL86 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STL86N3LLH6AGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STL86N3LLH6AG | STL8N6F7 | STL8NH3LL | STL8N6LF3 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 60 V | 30 V | 60 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±18V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 4W (Ta), 60W (Tc) | 3W (Ta), 60W (Tc) | 2W (Ta), 50W (Tc) | 65W (Tc) |
| 基本製品番号 | STL86 | STL8 | STL8 | STL8 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.2mOhm @ 10.5A, 10V | 25mOhm @ 4A, 10V | 15mOhm @ 4A, 10V | 30mOhm @ 4A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2030 pF @ 25 V | 450 pF @ 25 V | 965 pF @ 25 V | 668 pF @ 25 V |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6 | STripFET™ F7 | STripFET™ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (3.3x3.3) | PowerFlat™ (3.3x3.3) | PowerFlat™ (5x6) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 5V, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | 36A (Tc) | 8A (Tc) | 20A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 4.5 V | 8 nC @ 10 V | 12 nC @ 4.5 V | 13 nC @ 10 V |
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STL8N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 36A POWERFLATSTL8DN6LF3STMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6STL8NH3LLSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 8A POWERFLATSTL8N6LF3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 20A POWERFLATSTL8110GNL463SENTELICSTL8DN10LF3STMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6STL8110GCL463SENTELIC
STL8110PCH270SemtechSTL8N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 4.5A POWERFLATSTL8DN6LF6AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 32A POWERFLATSTL85N6F3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 85A POWERFLATSTL8N6LF6AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 32A POWERFLATSTL8N10LF3STMicroelectronicsMOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6STL8110PCL300SENTELICSTL8110PCL270SENTELICSTL8110PCH300SENTELICSTL8N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 7A POWERFLATSTL8110GNL160SENTELIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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