STL52DN4LF7AGの技術仕様
STMicroelectronics - STL52DN4LF7AG技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STL52DN4LF7AG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (5x6) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16mOhm @ 6A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 65W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 500pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.4nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Tc) | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | STL52 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STL52DN4LF7AGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STL52DN4LF7AG | STL60N32N3LL | STL50DN6F7 | STL50NH3LL MOS |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Tc) | 32A, 60A | 57A (Tc) | - |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 | STripFET™ | STripFET™ | - |
| 電力 - 最大 | 65W (Tc) | 23W, 50W | 62.5W | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 500pF @ 25V | 950pF @ 25V | 1035pF @ 30V | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40V | 30V | 60V | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 1V @ 1µA | 4V @ 250µA | - |
| 基本製品番号 | STL52 | STL60 | STL50 | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16mOhm @ 6A, 10V | 9.2mOhm @ 6.8A, 10V | 11mOhm @ 7.5A, 10V | - |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | - | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 2 N-Channel (Dual) | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.4nC @ 10V | 6.6nC @ 4.5V | 17nC @ 10V | - |
STL52DN4LF7AG - STMicroelectronicsのSTL52DN4LF7AG PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STL50NH3LL MOSSTMicroelectronicsSTL60N32N3LLSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT
STL4N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLATSTL51N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 51A POWERFLATSTL57N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLATSTL58N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 64A POWERFLATSTL4N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLATSTL45P3LLH6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 30V 45A POWERFLATSTL52N25M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 250V 28A POWERFLATSTL4P3LLH6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 30V 4A POWERFLATSTL5N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHVSTL50NH3LLSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 27A POWERFLATSTL50DN6F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 57A POWERFLATSTL55NH3LLSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 55A POWERFLATSTL56N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 56A POWERFLATSTL5NK65ZSTMicroelectronicsSTL60N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 46A POWERFLATSTL50N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 60A POWERFLAT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。