STL30P3LLH6の技術仕様
STMicroelectronics - STL30P3LLH6技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STL30P3LLH6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (5x6) | |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 4.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 75W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1450 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STL30 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STL30P3LLH6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STL30P3LLH6 | STL26N65DM2 | STL26N60DM6 | STL26N30M8 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (8x8) HV | PowerFlat™ (8x8) HV | PowerFlat™ (5x6) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±25V | ±25V | ±25V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 650 V | 600 V | 300 V |
| 運転温度 | 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 4.5 V | 35.5 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V | 30.8 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 75W (Tc) | 140W (Tc) | 110W (Tc) | 114W (Tc) |
| 基本製品番号 | STL30 | STL26 | STL26 | STL26 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1450 pF @ 25 V | 1480 pF @ 100 V | 940 pF @ 100 V | 1430 pF @ 100 V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 10V | 10V |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VI | MDmesh™ DM2 | MDmesh™ DM6 | MDmesh™ M8 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) | 5V @ 250µA | 4.75V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 4.5A, 10V | 206mOhm @ 10A, 10V | 215mOhm @ 7.5A, 10V | 89mOhm @ 11.5A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) | 20A (Tc) | 15A (Tc) | 23A (Tc) |
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STL26N65DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HVSTL26N60DM6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HVSTL26N30M8STMicroelectronicsMOSFET N-CH 300V 23A POWERFLATSTL34NF06STMicroelectronicsSTL34N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88STL26NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 19A POWERFLATSTL35NF10STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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