STL100N1VH5の技術仕様
STMicroelectronics - STL100N1VH5技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STL100N1VH5仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 500mV @ 250µA (Min) | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (5x6) | |
| シリーズ | STripFET™ V | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3mOhm @ 12.5A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 60W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2085 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26.5 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STL100 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STL100N1VH5と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STL100N1VH5 | STL10N3LLH5 | STL10N65M2 | STL110N10F7 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 500mV @ 250µA (Min) | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| シリーズ | STripFET™ V | STripFET™ V | - | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 12 V | 30 V | 650 V | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) | 9A (Tc) | 4.5A (Tc) | 107A (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2085 pF @ 10 V | 900 pF @ 25 V | 315 pF @ 100 V | 5117 pF @ 50 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 10V | 10V |
| Vgs（最大） | ±8V | ±22V | ±25V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (3.3x3.3) | PowerFlat™ (5x6) HV | PowerFlat™ (5x6) |
| 基本製品番号 | STL100 | STL10 | STL10 | STL110 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26.5 nC @ 4.5 V | 6 nC @ 4.5 V | 10.3 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 60W (Tc) | 2W (Ta), 50W (Tc) | 48W (Tc) | 136W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3mOhm @ 12.5A, 4.5V | 19mOhm @ 4.5A, 10V | 1Ohm @ 2.5A, 10V | 6mOhm @ 10A, 10V |
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STL105DN4LF7AGSTMicroelectronicsAUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V,STL10N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 9A POWERFLATSTL10N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLATSTL110N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 107A POWERFLATSTL100N6LF6STMicroelectronicsMOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6STL100N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 80A POWERFLATSTL100NH3LLSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 100A POWERFLATSTL11N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 11A POWERFLATSTL100N8F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 80V 100A POWERFLATSTL11N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLATSTL110NS3LLH7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 120A POWERFLATSTL105NS3LLH7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 105A POWERFLATSTL110N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 108A POWERFLATSTL105NS3LLH7 MOSSTMicroelectronicsSTL10N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56STL11N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 HSTL100NH3LL MOSSTMicroelectronicsSTL100N12F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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