STI10NM60Nの技術仕様
STMicroelectronics - STI10NM60N技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STI10NM60N仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) | |
| シリーズ | MDmesh™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 550mOhm @ 4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 70W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 540 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STI10N |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STI10NM60Nと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STI10NM60N | STI12NM50N | STI18NM60N | STI10N62K3 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Vgs（最大） | ±25V | ±25V | ±25V | ±30V |
| シリーズ | MDmesh™ II | MDmesh™ II | MDmesh™ II | SuperMESH3™ |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) | I2PAK | I2PAK (TO-262) | I2PAK |
| 基本製品番号 | STI10N | STI12N | STI18N | STI10N |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 500 V | 600 V | 620 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 540 pF @ 50 V | 940 pF @ 50 V | 1000 pF @ 50 V | 1250 pF @ 50 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) | 11A (Tc) | 13A (Tc) | 8.4A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 70W (Tc) | 100W (Tc) | 110W (Tc) | 125W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 100µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 550mOhm @ 4A, 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 285mOhm @ 6.5A, 10V | 750mOhm @ 4A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 42 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
STI10NM60N - STMicroelectronicsのSTI10NM60N PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STI15NM65NSTMicroelectronics
STI1800SUNTOSTI12NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 11A I2PAKSTI18NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 13A I2PAKSTI10N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAKSTI18N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 9A I2PAKSTI1160A2SUNTOSTI13NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 11A I2PAKSTI13NK60ZSTMicroelectronicsSTI15NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 14A I2PAKSTI175N4F6AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 120A I2PAKSTI13NM60N MOSSTMicroelectronicsSTI1000ZWA-ESSTMicroelectronicsSTI18N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 12A I2PAKSTI14NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 12A I2PAKSTI13NK60Z MOSSTMicroelectronicsSTI15119ALCSTMicroelectronicsSTI150N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 110A I2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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