STH320N4F6-2の技術仕様
STMicroelectronics - STH320N4F6-2技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STH320N4F6-2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | H²PAK | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.3mOhm @ 80A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 13800 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STH320 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STH320N4F6-2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STH320N4F6-2 | STH400N4F6-2 | STH300NH02L-6 | STH310N10F7-6 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.3mOhm @ 80A, 10V | 1.15mOhm @ 60A, 10V | 1.2mOhm @ 80A, 10V | 2.5mOhm @ 60A, 10V |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 13800 pF @ 15 V | 20500 pF @ 25 V | 7050 pF @ 15 V | 12800 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 240 nC @ 10 V | 404 nC @ 10 V | 109 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | STH320 | STH400 | STH300 | STH310 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | H²PAK | H2Pak-2 | H²PAK | H2PAK-6 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 40 V | 24 V | 100 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 5V, 10V | 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 3.8V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | 300W (Tc) | 300W (Tc) | 315W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Tc) | 180A (Tc) | 180A (Tc) | 180A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
STH320N4F6-2 - STMicroelectronicsのSTH320N4F6-2 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STH400N4F6-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2STH300NH02L-6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 24V 180A H2PAKSTH2835-30-H-Q0Q1-BShineonSTH2APURSTMicroelectronicsSTH310N10F-2STMicroelectronicsSTH33N20STMicroelectronicsSTH310N10F7-6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6STH3N150-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAKSTH320N4F6-6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6STH320N4F6STMicroelectronicsSTH3N150-2 MOSSTMicroelectronicsSTH36N60DM6ST/TESLASTH360N4F6-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2STH315N10F7-6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6STH320N4F6-2 MOSSTMicroelectronicsSTH310N10F7-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2STH315N10F7-2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2STH289ASTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。