STGWA75H65DFB2の技術仕様
STMicroelectronics - STGWA75H65DFB2技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STGWA75H65DFB2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 650 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2V @ 15V, 75A | |
| 試験条件 | 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 28ns/100ns | |
| エネルギーの切り替え | 1.428mJ (on), 1.05mJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 Long Leads | |
| シリーズ | HB2 | |
| 逆回復時間（trrの） | 88 ns | |
| 電力 - 最大 | 357 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop | |
| ゲートチャージ | 207 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 225 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 115 A | |
| 基本製品番号 | STGWA75 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STGWA75H65DFB2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STGWA75H65DFB2 | STGWA40S120DF3 | STGWT20V60DF | STGWA45HF60WDI |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | NXP Semiconductors | STMicroelectronics |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop | - |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 650 V | 1200 V | 600 V | 600 V |
| ゲートチャージ | 207 nC | 129 nC | 116 nC | 160 nC |
| 逆回復時間（trrの） | 88 ns | 355 ns | 40 ns | 90 ns |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| エネルギーの切り替え | 1.428mJ (on), 1.05mJ (off) | 1.43mJ (on), 3.83mJ (off) | 200µJ (on), 130µJ (off) | 330µJ (off) |
| 基本製品番号 | STGWA75 | STGWA40 | - | STGWA45 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| シリーズ | HB2 | - | - | - |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 115 A | 80 A | 40 A | 80 A |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 Long Leads | TO-247-3 | TO-3P-3 | TO-247-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 試験条件 | 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V | 600V, 40A, 15Ohm, 15V | 400V, 20A, 15V | 400V, 30A, 4.7Ohm, 15V |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 225 A | 160 A | 80 A | 150 A |
| 電力 - 最大 | 357 W | 468 W | 167 W | 310 W |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 28ns/100ns | 35ns/148ns | 38ns/149ns | -/145ns |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2V @ 15V, 75A | 2.15V @ 15V, 40A | 2.2V @ 15V, 20A | 2.5V @ 15V, 30A |
STGWA75H65DFB2 - STMicroelectronicsのSTGWA75H65DFB2 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STGWA40S120DF3STMicroelectronicsIGBT 1200V 40A TO247-3LSTGWT20V60DFNXP SemiconductorsSTGWT20V60DF - IGBT 20A (@100C)STGWA45HF60WDISTMicroelectronicsIGBT 600V 80A 310W TO247STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsIGBT 1250V 40A 259W TO-3PSTGWT20H60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 40A 167W TO3PFSTGWF30NC60SSTMicroelectronicsIGBT 600V 35A 79W TO3PSTGWA50M65DF2STMicroelectronicsTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SESTGWA50H65DFB2STMicroelectronicsDISCRETESTGWA60V60DFSTMicroelectronicsIGBT BIPO 600V 60A TO247-3STGWT20HP65FBSTMicroelectronicsIGBTSTGWA80H65DFBSTMicroelectronicsIGBT BIPO 650V 80A TO247-3STGWA80H65FBSTMicroelectronicsIGBT 650V 120A 469W TO247STGWA40N120KDSTMicroelectronicsIGBT 1200V 80A 240W TO247STGWT20H65FBSTMicroelectronicsIGBT 650V 40A 168W TO3PSTGWA60H65DFBSTMicroelectronicsIGBT BIPO 650V 60A TO247-3STGWA50IH65DFSTMicroelectronicsTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650STGWA40M120DF3STMicroelectronicsIGBT 1200V 80A 468W TO-247-3STGWA75M65DF2STMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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