STGP10NB60SDの技術仕様
STMicroelectronics - STGP10NB60SD技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STGP10NB60SD仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 1.75V @ 15V, 10A | |
| 試験条件 | 480V, 10A, 1kOhm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 700ns/1.2µs | |
| エネルギーの切り替え | 600µJ (on), 5mJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | PowerMESH™ | |
| 逆回復時間（trrの） | 37 ns | |
| 電力 - 最大 | 80 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | - | |
| ゲートチャージ | 33 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 80 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 29 A | |
| 基本製品番号 | STGP10 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STGP10NB60SDと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STGP10NB60SD | STGP15M65DF2 | STGP10NB37LZ | STGP10H60DF |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| シリーズ | PowerMESH™ | - | PowerMESH™ | - |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 29 A | 30 A | 20 A | 20 A |
| エネルギーの切り替え | 600µJ (on), 5mJ (off) | 90µJ (on), 450µJ (off) | 2.4mJ (on), 5mJ (off) | 83µJ (on), 140µJ (off) |
| 逆回復時間（trrの） | 37 ns | 142 ns | - | 107 ns |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 1.75V @ 15V, 10A | 2V @ 15V, 15A | 1.8V @ 4.5V, 10A | 1.95V @ 15V, 10A |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| IGBTタイプ | - | Trench Field Stop | - | Trench Field Stop |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | 650 V | 440 V | 600 V |
| 基本製品番号 | STGP10 | STGP15 | STGP10 | STGP10 |
| 試験条件 | 480V, 10A, 1kOhm, 15V | 400V, 15A, 12Ohm, 15V | 328V, 10A, 1kOhm, 5V | 400V, 10A, 10Ohm, 15V |
| ゲートチャージ | 33 nC | 45 nC | 28 nC | 57 nC |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 80 A | 60 A | 40 A | 40 A |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 700ns/1.2µs | 24ns/93ns | 1.3µs/8µs | 19.5ns/103ns |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220 | TO-220 | TO-220 |
| 電力 - 最大 | 80 W | 136 W | 125 W | 115 W |
STGP10NB60SD - STMicroelectronicsのSTGP10NB60SD PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STGP15M65DF2STMicroelectronicsTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SESTGP10NB37LZSTMicroelectronicsIGBT 440V 20A 125W TO220STGP10H60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 20A 115W TO220
STGP10NB60SFPSTMicroelectronicsIGBT 600V 23A 25W TO220STGP10NB60SSTMicroelectronicsIGBT 600V 29A 80W TO220STGP19NC60HDSTMicroelectronicsIGBT 600V 40A 130W TO220STGP12NB60KDSTMicroelectronicsIGBT 600V 30A 125W TO220STGP10NC60HDSTMicroelectronicsIGBT 600V 20A 65W TO220
STGIPS30C60T-HSTMicroelectronicsMOD IPM SLLIMM 30A 600V 25SDIPSTGP19NC60KDSTMicroelectronicsIGBT 600V 35A 125W TO220STGIPS30C60STMicroelectronicsIGBT IPM MODULE 30A 600V SDIP-25STGP14NC60KDSTMicroelectronicsIGBT 600V 25A 80W TO220STGP10NC60KDSTMicroelectronicsIGBT 600V 20A 65W TO220STGP10M65DF2STMicroelectronicsIGBT 650V 10A TO-220ABSTGP15H60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 30A 115W TO220STGP19NC60SDSTMicroelectronicsIGBT 600V 40A 130W TO220STGIPS30C60-HSTMicroelectronicsMOD IPM SLLIMM 30A 600V 25SDIP
STGIPS35K60L1STMicroelectronicsMODULE IPM SLLIMM SDIP-22L| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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