STGD4M65DF2の技術仕様
STMicroelectronics - STGD4M65DF2技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STGD4M65DF2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 650 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.1V @ 15V, 4A | |
| 試験条件 | 400V, 4A, 47Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 12ns/86ns | |
| エネルギーの切り替え | 40µJ (on), 136µJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | M | |
| 逆回復時間（trrの） | 133 ns | |
| 電力 - 最大 | 68 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop | |
| ゲートチャージ | 15.2 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 16 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 8 A | |
| 基本製品番号 | STGD4 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STGD4M65DF2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STGD4M65DF2 | STGD3NB60SDT4 | STGD25N40LZAG | STGD18N40LZT4 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Logic | Logic |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.1V @ 15V, 4A | 1.5V @ 15V, 3A | 1.25V @ 4V, 6A | 1.7V @ 4.5V, 10A |
| シリーズ | M | PowerMESH™ | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™ |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 16 A | 25 A | 50 A | 40 A |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ | 15.2 nC | 18 nC | 26 nC | 29 nC |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 650 V | 600 V | 435 V | 420 V |
| 基本製品番号 | STGD4 | STGD3 | STGD25 | STGD18 |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop | - | - | - |
| 逆回復時間（trrの） | 133 ns | 1.7 µs | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 電力 - 最大 | 68 W | 48 W | 125 W | 125 W |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | DPAK | D-PAK (TO-252) | DPAK |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 12ns/86ns | 125µs/- | 1.1µs/4.6µs | 650ns/13.5µs |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 8 A | 6 A | 25 A | 25 A |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| エネルギーの切り替え | 40µJ (on), 136µJ (off) | 1.15mJ (off) | - | - |
| 試験条件 | 400V, 4A, 47Ohm, 15V | 480V, 3A, 1kOhm, 15V | 300V, 10A, 1kOhm, 5V | 300V, 10A, 5V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
STGD4M65DF2 - STMicroelectronicsのSTGD4M65DF2 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STGD3NB60SDT4STMicroelectronicsIGBT 600V 6A 48W DPAKSTGD3HF60HDSTMicroelectronicsSTGD3NC120HSTMicroelectronicsSTGD25N40LZAGSTMicroelectronicsPOWER TRANSISTORSSTGD6NC60HSTMicroelectronicsSTGD6NC60HDSTMicroelectronicsSTGD18N40LZT4STMicroelectronicsIGBT 420V 25A 125W DPAK
STGD5NB120SZ-1STMicroelectronicsIGBT 1200V 10A 75W IPAKSTGD20N45LZAGSTMicroelectronicsPOWER TRANSISTORSSTGD3HF60HDT4STMicroelectronicsIGBT 600V 7.5A 38W DPAKSTGD6NC60HDT4STMicroelectronicsIGBT 600V 15A 56W DPAKSTGD3NB60HSTMicroelectronicsSTGD7NB60KT4STMicroelectronicsIGBT 600V 14A 70W DPAKSTGD18N40LZSTMicroelectronicsSTGD20N40LZSTMicroelectronicsIGBT 390V 25A 125W DPAKSTGD6M65DF2STMicroelectronicsTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M SSTGD5NB120SZSTMicroelectronicsSTGD5H60DFSTMicroelectronicsTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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