STGB20H60DFの技術仕様
STMicroelectronics - STGB20H60DF技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STGB20H60DF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2V @ 15V, 20A | |
| 試験条件 | 400V, 20A, 10Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 42.5ns/177ns | |
| エネルギーの切り替え | 209µJ (on), 261µJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 90 ns | |
| 電力 - 最大 | 167 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop | |
| ゲートチャージ | 115 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 80 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 40 A | |
| 基本製品番号 | STGB20 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STGB20H60DFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STGB20H60DF | STGB18N40LZT4 | STGB30H60DF | STGB20NB37LZT4 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| シリーズ | - | Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™ | - | PowerMESH™ |
| エネルギーの切り替え | 209µJ (on), 261µJ (off) | - | 350µJ (on), 400µJ (off) | 11.8mJ (off) |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | 420 V | 600 V | 425 V |
| 入力タイプ | Standard | Logic | Standard | Standard |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 40 A | 30 A | 60 A | 40 A |
| ゲートチャージ | 115 nC | 29 nC | 105 nC | 51 nC |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | D2PAK | D2PAK | D2PAK |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 80 A | 40 A | 120 A | 80 A |
| 基本製品番号 | STGB20 | STGB18 | STGB30 | STGB20 |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2V @ 15V, 20A | 1.7V @ 4.5V, 10A | 2.4V @ 15V, 30A | 2V @ 4.5V, 20A |
| 試験条件 | 400V, 20A, 10Ohm, 15V | 300V, 10A, 5V | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 167 W | 150 W | 260 W | 200 W |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 42.5ns/177ns | 650ns/13.5µs | 50ns/160ns | 2.3µs/2µs |
| 逆回復時間（trrの） | 90 ns | - | 110 ns | - |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop | - | Trench Field Stop | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
STGB20H60DF - STMicroelectronicsのSTGB20H60DF PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STGB18N40LZT4STMicroelectronicsIGBT 420V 30A 150W D2PAKSTGB30H60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 60A 260W D2PAK
STGB18N40LZSTMicroelectronicsSTGB20NB37LZT4STMicroelectronicsIGBT 425V 40A 200W D2PAK
STGB25N40LZAGSTMicroelectronicsPOWER TRANSISTORSSTGB15M65DF2STMicroelectronicsTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SESTGB19NC60HDT4STMicroelectronicsIGBT 600V 40A 130W D2PAKSTGB20NB37LZSTMicroelectronicsIGBT 425V 40A 200W D2PAKSTGB20NB41LZT4STMicroelectronicsIGBT 442V 40A 200W D2PAK
STGB19NC60KDT4STMicroelectronicsIGBT 600V 35A 125W D2PAKSTGB19NC60KDSTMicroelectronicsSTGB20N45LZAGSTMicroelectronicsPOWER TRANSISTORS
STGB2012-190PTSTGB20NB41LZT4 MOSSTMicroelectronicsSTGB2012-000PTSTGB19NC60HDSTMicroelectronicsSTGB20NC60VT4STMicroelectronicsIGBT 600V 60A 200W D2PAKSTGB20M65DF2STMicroelectronicsIGBT TRENCH 650V 40A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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