STF25N10F7の技術仕様
STMicroelectronics - STF25N10F7技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STF25N10F7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FP | |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 12.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 25W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 920 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STF25 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STF25N10F7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STF25N10F7 | STF24N60M2 | STF25N80K5 | STF24NM60N |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 25W (Tc) | 30W (Tc) | 40W (Tc) | 30W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±25V | ±30V | ±30V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 920 pF @ 50 V | 1060 pF @ 100 V | 1600 pF @ 100 V | 1400 pF @ 50 V |
| 基本製品番号 | STF25 | STF24 | STF25 | STF24 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 12.5A, 10V | 190mOhm @ 9A, 10V | 260mOhm @ 19.5A, 10V | 190mOhm @ 8A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 600 V | 800 V | 600 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19A (Tc) | 18A (Tc) | 19.5A (Tc) | 17A (Tc) |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII | MDmesh™ II Plus | SuperMESH5™ | MDmesh™ II |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 100µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FP | TO-220FP | TO-220FP | TO-220FP |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
STF25N10F7 - STMicroelectronicsのSTF25N10F7 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STF24N60M2 24N60M2STMicroelectronicsSTF24N60MESTMicroelectronicsSTF24N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 18A TO220FPSTF25N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FPSTF24NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 17A TO220FPSTF24N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 16A TO220FPSTF25NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 21A TO220FPSTF24NF12STMicroelectronicsSTF260N4F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 90A TO220FPSTF25NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 22A TO220FPSTF25NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 21A TO220FPSTF26N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 20A TO220FPSTF25N60M2STMicroelectronicsSTF24NF10STMicroelectronicsSTF24NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 19A TO220FPSTF25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 18A TO220FPSTF25N80K5 MOSSTMicroelectronicsSTF24N60M6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V TO220FP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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