STF10NK50Zの技術仕様
STMicroelectronics - STF10NK50Z技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STF10NK50Z仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FP | |
| シリーズ | SuperMESH™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 700mOhm @ 4.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1219 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 39.2 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STF10N |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STF10NK50Zと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STF10NK50Z | STF10N65K3 | STF10NM50N | STF10NM60ND |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) | 10A (Tc) | 7A (Tc) | 8A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220FP | TO-220FP | TO-220FP | TO-220FP |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 700mOhm @ 4.5A, 10V | 1Ohm @ 3.6A, 10V | 630mOhm @ 3.5A, 10V | 550mOhm @ 4A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) | 35W (Tc) | 25W (Tc) | 25W (Tc) |
| シリーズ | SuperMESH™ | SuperMESH3™ | MDmesh™ II | FDmesh™ II |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 基本製品番号 | STF10N | STF10 | STF10N | STF10 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 39.2 nC @ 10 V | 42 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1219 pF @ 25 V | 1180 pF @ 25 V | 450 pF @ 50 V | 540 pF @ 50 V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±25V | ±25V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 650 V | 500 V | 600 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
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STF10NM60N MOSSTMicroelectronicsSTF10N65K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 10A TO220FPSTF10NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 7A TO220FPSTF10NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 8A TO220FPSTF10N80K5 10N80K5STMicroelectronicsSTF10N65K3 MOSSTMicroelectronicsSTF10N62K3 MOSSTMicroelectronicsSTF110N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 45A TO220FPSTF10NK80K5STMicroelectronicsSTF10NK60ZSTMicroelectronicsSTF10NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 10A TO220FPSTF10N65STMicroelectronicsSTF10N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 8A TO220FPSTF10NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 9A TO220FPSTF10N80K5 MOSSTMicroelectronicsSTF10N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 9A TO220FPSTF10N65K3 10N65K3STMicroelectronicsSTF10N62K3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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