STD80N10F7の技術仕様
STMicroelectronics - STD80N10F7技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STD80N10F7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10mOhm @ 40A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 85W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3100 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STD80 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STD80N10F7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STD80N10F7 | STD80N3LL | STD7NM80 | STD80N6F7 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) | 80A (Tc) | 6.5A (Tc) | 40A (Tc) |
| 基本製品番号 | STD80 | STD80 | STD7 | STD80 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 4.5V, 10V | 10V | 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3100 pF @ 50 V | 1640 pF @ 25 V | 620 pF @ 25 V | 1600 pF @ 30 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | 18 nC @ 4.5 V | 18 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 85W (Tc) | 75W (Tc) | 90W (Tc) | 100W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII | - | MDmesh™ | STripFET™ F7 |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | D-PAK (TO-252) | DPAK | D-PAK (TO-252) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10mOhm @ 40A, 10V | 5.2mOhm @ 40A, 10V | 1.05Ohm @ 3.25A, 10V | 8mOhm @ 20A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 30 V | 800 V | 60 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
STD80N10F7 - STMicroelectronicsのSTD80N10F7 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STD7NM64DSTMicroelectronicsSTD80N3LLSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 80A DPAKSTD7NM80STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6.5A DPAKSTD83003-1STMicroelectronics
STD815CP40STMicroelectronicsTRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIPSTD826T4STMicroelectronicsTRANS PNP 30V 3A DPAKSTD7NS20STMicroelectronicsSTD83003STMicroelectronicsSTD80N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 40A DPAKSTD7NS20T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 7A DPAKSTD80N6F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 80A DPAKSTD80N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 80A DPAKSTD7NM60N-1STMicroelectronics
STD7NM80-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6.5A IPAKSTD7NS20T4 MOSSTMicroelectronicsSTD83003 MOSSTMicroelectronicsSTD826T4 MOSSTMicroelectronicsSTD7NM64NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 640V 5A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。