STD80N10F7の技術仕様
STMicroelectronics - STD80N10F7技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STD80N10F7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10mOhm @ 40A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 85W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3100 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STD80 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STD80N10F7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STD80N10F7 | STD7NM80-1 | STD80N6F6 | STD7NM64N |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) | 6.5A (Tc) | 80A (Tc) | 5A (Tc) |
| 基本製品番号 | STD80 | STD7 | STD80 | STD7 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3100 pF @ 50 V | 620 pF @ 25 V | 7480 pF @ 25 V | 363 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V | 122 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 85W (Tc) | 90W (Tc) | 120W (Tc) | 60W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| シリーズ | DeepGATE™, STripFET™ VII | MDmesh™ | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI | MDmesh™ II |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | TO-251 (IPAK) | DPAK | DPAK |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±20V | ±25V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10mOhm @ 40A, 10V | 1.05Ohm @ 3.25A, 10V | 6.5mOhm @ 40A, 10V | 1.05Ohm @ 2.5A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 800 V | 60 V | 640 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
STD80N10F7 - STMicroelectronicsのSTD80N10F7 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STD83003STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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