STD7N52K3の技術仕様
STMicroelectronics - STD7N52K3技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STD7N52K3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | SuperMESH3™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 980mOhm @ 3.1A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 90W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 737 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 525 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STD7N52 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STD7N52K3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STD7N52K3 | STD7N65M2 | STD7N80K5 | STD7ANM60N |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | DPAK | DPAK | DPAK |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA | 4V @ 250µA | 5V @ 100µA | 4V @ 250µA |
| シリーズ | SuperMESH3™ | MDmesh™ | SuperMESH5™ | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) | 5A (Tc) | 6A (Tc) | 5A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±25V | ±30V | ±25V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | STD7N52 | STD7N65 | STD7N80 | STD7ANM60 |
| 電力消費（最大） | 90W (Tc) | 60W (Tc) | 110W (Tc) | 45W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 737 pF @ 100 V | 270 pF @ 100 V | 360 pF @ 100 V | 363 pF @ 50 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 980mOhm @ 3.1A, 10V | 1.15Ohm @ 2.5A, 10V | 1.2Ohm @ 3A, 10V | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 525 V | 650 V | 800 V | 600 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 34 nC @ 10 V | 9 nC @ 10 V | 13.4 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V |
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STD7N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 5A DPAK
STD70NS04ZL MOSSTMicroelectronicsSTD7N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6A DPAKSTD7N52K3 STSTMicroelectronicsSTD7ANM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A DPAKSTD75N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 75A DPAKSTD728STMicroelectronicsSTD7N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 6A DPAKSTD7N60M6STMicroelectronicsDISCRETESTD70NS04ZLSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 33V 70A DPAKSTD7LN80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 5A DPAKSTD7N65M6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 5A DPAKSTD7N60STMicroelectronicsSTD7N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A DPAKSTD7N65STMicroelectronicsSTD7N52DK3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 525V 6A DPAKSTD70NS04ZL(1302)STMicroelectronicsSTD75N3LLH6 MOSSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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