STD6NM60Nの技術仕様
STMicroelectronics - STD6NM60N技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STD6NM60N仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | MDmesh™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 920mOhm @ 2.3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 45W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 420 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.6A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STD6N |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STD6NM60Nと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STD6NM60N | STD6NF10T4 | STD6NM60N-1 | STD6N95K5 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Vgs（最大） | ±25V | ±20V | ±25V | ±30V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | DPAK | TO-251 (IPAK) | DPAK |
| 基本製品番号 | STD6N | STD6NF10 | STD6N | STD6N95 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 100 V | 600 V | 950 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 420 pF @ 50 V | 280 pF @ 25 V | 420 pF @ 50 V | 450 pF @ 100 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 100µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.6A (Tc) | 6A (Tc) | 4.6A (Tc) | 9A (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 920mOhm @ 2.3A, 10V | 250mOhm @ 3A, 10V | 920mOhm @ 2.3A, 10V | 1.25Ohm @ 3A, 10V |
| シリーズ | MDmesh™ II | STripFET™ | MDmesh™ II | SuperMESH5™ |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 45W (Tc) | 30W (Tc) | 45W (Tc) | 90W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 13 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V |
STD6NM60N - STMicroelectronicsのSTD6NM60N PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STD6NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 6A DPAK
STD70GK18SIRECTIFIERIGBT ModuleSTD70GK12BSIRECTIFIERIGBT Module
STD6NF10T4 MOSSTMicroelectronicsSTD70GK14BSIRECTIFIERIGBT ModuleSTD70GK08BSIRECTIFIERIGBT ModuleSTD70GK16BSIRECTIFIERIGBT ModuleSTD6NM60N-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 4.6A IPAKSTD6N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 9A DPAKSTD70GK18BSIRECTIFIERIGBT ModuleSTD70GK14SIRECTIFIERIGBT ModuleSTD6NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 5.6A DPAKSTD6NK50ZT4 MOSSTMicroelectronicsSTD6NF10STMicroelectronicsSTD6N95K5 6N95K5STMicroelectronicsSTD6N95K5 MOSSTMicroelectronicsSTD70GK08SIRECTIFIERIGBT ModuleSTD6NF10-1VBsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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