STD5NM60T4の技術仕様
STMicroelectronics - STD5NM60T4技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STD5NM60T4仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | MDmesh™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1Ohm @ 2.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 96W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STD5NM60 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STD5NM60T4と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STD5NM60T4 | STD5NM50AG | STD5NM50T4 | STD5NM60-1 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 基本製品番号 | STD5NM60 | STD5NM50 | STD5NM50 | STD5NM60 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A (Tc) | 7.5A (Tc) | 7.5A (Tc) | 5A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | TO-252 (D-Pak) | DPAK | I-PAK |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 400 pF @ 25 V | 415 pF @ 100 V | 415 pF @ 25 V | 400 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 96W (Tc) | 100W (Tc) | 100W (Tc) | 96W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 500 V | 500 V | 600 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1Ohm @ 2.5A, 10V | 800mOhm @ 2.5A, 10V | 800mOhm @ 2.5A, 10V | 1Ohm @ 2.5A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 18 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | MDmesh™ | MDmesh™ | MDmesh™ | MDmesh™ |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
STD5NM60T4 - STMicroelectronicsのSTD5NM60T4 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STD5NM60-1 MOSSTMicroelectronicsSTD5NM50AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
STD60GK08BSIRECTIFIERIGBT ModuleSTD60GK18SIRECTIFIERIGBT ModuleSTD5NM50T4 MOSSTMicroelectronicsSTD60GK12BSIRECTIFIERIGBT ModuleSTD60GK14BSIRECTIFIERIGBT ModuleSTD5NM50 D5NM50STMicroelectronicsSTD5NM50T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 7.5A DPAKSTD60GK08SIRECTIFIERIGBT ModuleSTD5NM60-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 5A IPAKSTD5NM60T4 MOSSTMicroelectronicsSTD5NM60T4GSTMicroelectronicsSTD5NM60 D5NM60STMicroelectronicsSTD5NM50-1VBSEMISTD5NM50Z-T4STMicroelectronicsSTD5NM60STMicroelectronicsSTD60GK14SIRECTIFIERIGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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