STD45P4LLF6AGの技術仕様
STMicroelectronics - STD45P4LLF6AG技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STD45P4LLF6AG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±18V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 25A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 58W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3525 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 65.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STD45 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STD45P4LLF6AGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STD45P4LLF6AG | STD45NF75T4 | STD46N6F7 | STD46P4LLF6 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 | STripFET™ II | STripFET™ | STripFET™ F6 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) | 40A (Tc) | 15A (Tc) | 46A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±18V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3525 pF @ 25 V | 1760 pF @ 25 V | 1065 pF @ 30 V | 3525 pF @ 25 V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 25A, 10V | 24mOhm @ 20A, 10V | 14mOhm @ 7.5A, 10V | 15mOhm @ 23A, 10V |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 175°C (TJ) |
| 基本製品番号 | STD45 | STD45 | STD46 | STD46 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 75 V | 60 V | 40 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 65.5 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 34 nC @ 4.5 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 58W (Tc) | 125W (Tc) | 60W (Tc) | 70W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | DPAK | DPAK | DPAK |
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STD49GK08SIRECTIFIERIGBT ModuleSTD45NF75T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 75V 40A DPAK
STD45NF75T4 MOSSTMicroelectronicsSTD49GK08BSIRECTIFIERIGBT ModuleSTD452SSAMH0PSTD46N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 15A DPAKSTD44N4LF6 MOSSTMicroelectronicsSTD45NF03LSTMicroelectronicsSTD46P4LLF6STMicroelectronicsMOSFET P-CH 40V 46A DPAKSTD45N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 45A DPAKSTD45P4LLF6STMicroelectronicsSTD49GK12BSIRECTIFIERIGBT ModuleSTD49GK14SIRECTIFIERIGBT ModuleSTD45NF75 D45NF75STMicroelectronicsSTD44N4LF6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 44A DPAKSTD45NF75STMicroelectronicsSTD49GK18SIRECTIFIERIGBT ModuleSTD47N10F7AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 45A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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