STD2NK100Zの技術仕様
STMicroelectronics - STD2NK100Z技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STD2NK100Z仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | SuperMESH™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.5Ohm @ 900mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 70W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 499 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.85A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STD2NK100 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STD2NK100Zと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STD2NK100Z | STD2NK60Z-1 | STD2NK70ZT4 | STD2NC45-1 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 600 V | 700 V | 450 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| シリーズ | SuperMESH™ | SuperMESH™ | SuperMESH™ | SuperMESH™ |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 電力消費（最大） | 70W (Tc) | 45W (Tc) | 45W (Tc) | 30W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 50µA | 3.7V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | I-PAK | DPAK | TO-251 (IPAK) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.85A (Tc) | 1.4A (Tc) | 1.6A (Tc) | 1.5A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V | 10 nC @ 10 V | 11.4 nC @ 10 V | 7 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.5Ohm @ 900mA, 10V | 8Ohm @ 700mA, 10V | 7Ohm @ 800mA, 10V | 4.5Ohm @ 500mA, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | STD2NK100 | STD2N | - | STD2NC45 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 499 pF @ 25 V | 170 pF @ 25 V | 280 pF @ 25 V | 160 pF @ 25 V |
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STD2NC50T4-TRSTMicroelectronicsSTD2NC60T4STMicroelectronicsSTD2NK100Z MOSSTMicroelectronicsSTD2NC45STMicroelectronicsSTD2NK60Z-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 1.4A IPAKSTD2NK70ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 700V 1.6A DPAKSTD2NC50-1 MOSSTMicroelectronicsSTD2NC50STMicroelectronicsSTD2NK60Z-1 MOSSTMicroelectronicsSTD2NK70ZT4 MOSSTMicroelectronicsSTD2NC45-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 450V 1.5A IPAKSTD2NB80-1STMicroelectronicsSTD2NK70Z-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 700V 1.6A IPAKSTD2NC60-1STMicroelectronicsSTD2NK90Z-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 2.1A IPAKSTD2NK60ZSTMicroelectronicsSTD2NC60 MOSSTMicroelectronicsSTD2NC50-1STMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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