STD1NK60T4の技術仕様
STMicroelectronics - STD1NK60T4技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STD1NK60T4仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.7V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | SuperMESH™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.5Ohm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 156 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STD1 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STD1NK60T4と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STD1NK60T4 | STD1NK60-1 | STD1NK80ZT4 | STD1NK80Z-1 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A (Tc) | 1A (Tc) | 1A (Tc) | 1A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 156 pF @ 25 V | 156 pF @ 25 V | 160 pF @ 25 V | 160 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.5Ohm @ 500mA, 10V | 8.5Ohm @ 500mA, 10V | 16Ohm @ 500mA, 10V | 16Ohm @ 500mA, 10V |
| シリーズ | SuperMESH™ | SuperMESH™ | SuperMESH™ | SuperMESH™ |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | I-PAK | DPAK | TO-251 (IPAK) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 800 V | 800 V |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) | 30W (Tc) | 45W (Tc) | 45W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.7V @ 250µA | 3.7V @ 250µA | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 50µA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10 nC @ 10 V | 10 nC @ 10 V | 7.7 nC @ 10 V | 7.7 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | STD1 | STD1 | STD1NK80 | STD1NK80 |
STD1NK60T4 - STMicroelectronicsのSTD1NK60T4 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STD1NK60-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 1A IPAKSTD1NK80STMicroelectronicsSTD1NK80ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 1A DPAKSTD1NC60-1STMicroelectronicsSTD1NK60-1 MOSSTMicroelectronicsSTD1NB80-1STMicroelectronicsSTD1NK80Z-1 MOSSTMicroelectronicsSTD1NK80Z-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 1A IPAKSTD1NC60STMicroelectronicsSTD1NK60STMicroelectronicsSTD1NB80T4 MOSSTMicroelectronicsSTD1NK80Z MOSSTMicroelectronicsSTD1NK60T4 MOSSTMicroelectronicsSTD1NB80-1 MOSSTMicroelectronicsSTD1NB80T4STMicroelectronics
STD1NK60ZVBSEMISTD1NK80ZT4 MOSSTMicroelectronicsSTD1NK60 MOSSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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