STD18NF03Lの技術仕様
STMicroelectronics - STD18NF03L技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STD18NF03L仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | STripFET™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 8.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 320 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.5 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STD18 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STD18NF03Lと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STD18NF03L | STD19NF20 | STD18N55M5 | STD19NF06L |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Vgs（最大） | ±16V | ±20V | ±25V | - |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | - |
| シリーズ | STripFET™ II | MESH OVERLAY™ | MDmesh™ V | * |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 8.5A, 10V | 160mOhm @ 7.5A, 10V | 192mOhm @ 8A, 10V | - |
| 基本製品番号 | STD18 | STD19 | STD18 | STD19 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.5 nC @ 5 V | 24 nC @ 10 V | 31 nC @ 10 V | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 17A (Tc) | 15A (Tc) | 16A (Tc) | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) | 90W (Tc) | 110W (Tc) | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 200 V | 550 V | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | 10V | 10V | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 320 pF @ 25 V | 800 pF @ 25 V | 1260 pF @ 100 V | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | D-PAK (TO-252) | DPAK | - |
STD18NF03L - STMicroelectronicsのSTD18NF03L PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STD18N06LT4GAMI Semiconductor/onsemiSTD19NF20STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 200V 15A DPAK
STD18GK18BSIRECTIFIERIGBT ModuleSTD18N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 550V 16A DPAKSTD19NE06LSTMicroelectronicsSTD18NF03L MOSSTMicroelectronicsSTD18N06LT4G-VF01AMI Semiconductor/onsemiSTD1955NLVBSEMISTD18NF03LT4VBSEMISTD19NF06LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V DPAKSTD18N55M5 MOSSTMicroelectronicsSTD18GK16BSIRECTIFIERIGBT ModuleSTD18N65M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 11A DPAKSTD19N3LLH6AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 10A DPAKSTD18NF25STMicroelectronicsMOSFET N-CH 250V 17A DPAKSTD18N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 15A DPAKSTD19NE06LT4STMicroelectronicsSTD18GK18SIRECTIFIERIGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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