STD12NM50Nの技術仕様
STMicroelectronics - STD12NM50N技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STD12NM50N仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | MDmesh™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 380mOhm @ 5.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 100W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 940 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STD12 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STD12NM50Nと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STD12NM50N | STD12NM50ND | STD12NF06T4 | STD12NF06-1 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±25V | ±25V | ±20V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) | 11A (Tc) | 12A (Tc) | 12A (Tc) |
| シリーズ | MDmesh™ II | FDmesh™ II | STripFET™ II | STripFET™ II |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 940 pF @ 50 V | 850 pF @ 50 V | 315 pF @ 25 V | 315 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 100W (Tc) | 100W (Tc) | 30W (Tc) | 30W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 基本製品番号 | STD12 | STD12 | STD12 | STD12 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 100mOhm @ 6A, 10V | 100mOhm @ 6A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 60 V | 60 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | DPAK | DPAK | I-PAK |
STD12NM50N - STMicroelectronicsのSTD12NM50N PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STD12NF06L MOSSTMicroelectronics
STD13003 MOSAUKSTD13003T4STMicroelectronicsTRANS NPN 400V 1.5A DPAKSTD12NM50NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 11A DPAKSTD13005FBAUKSTD12NF06T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 12A DPAKSTD12NF06STMicroelectronicsSTD12NF06LSTMicroelectronicsSTD12NF06-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 12A IPAKSTD12NF06T4 MOSSTMicroelectronicsSTD13003ASTMicroelectronicsSTD12NM65M2STMicroelectronicsSTD13003STMicroelectronicsSTD12NF06L-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 12A IPAKSTD13005FSTD12NF06LT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 12A DPAKSTD13005AUKSTD12NF06LT4 MOSSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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