STD10N60M6の技術仕様
STMicroelectronics - STD10N60M6技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STD10N60M6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.75V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252) | |
| シリーズ | MDmesh™ M6 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 600mOhm @ 3.2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 60W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 338 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.8 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.4A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STD10 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STD10N60M6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STD10N60M6 | STD10N60M2 | STD10NF30 | STD10NF10T4 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.8 nC @ 10 V | 13.5 nC @ 10 V | 23 nC @ 10 V | 21 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-PAK (TO-252) | DPAK | D-PAK (TO-252) | DPAK |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.75V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 電力消費（最大） | 60W (Tc) | 85W (Tc) | 103W (Tc) | 50W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 600mOhm @ 3.2A, 10V | 600mOhm @ 3A, 10V | 330mOhm @ 5A, 10V | 130mOhm @ 5A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.4A (Tc) | 7.5A (Tc) | 10A (Tc) | 13A (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs（最大） | ±25V | ±25V | ±20V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 300 V | 100 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 338 pF @ 100 V | 400 pF @ 100 V | 780 pF @ 25 V | 460 pF @ 25 V |
| 基本製品番号 | STD10 | STD10 | STD10 | STD10 |
| シリーズ | MDmesh™ M6 | MDmesh™ II Plus | Automotive, AEC-Q101, MESH OVERLAY™, MESH OVERLAY™ | STripFET™ II |
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STD10N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 7.5A DPAKSTD10N60M2 10N60M2STMicroelectronicsSTD10NF30STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAKSTD10N60STMicroelectronicsSTD10NF10STMicroelectronicsSTD105N10F7HTSTMicroelectronicsSTD10N60M2 MOSSTMicroelectronicsSTD10NF06LT4STMicroelectronicsSTD10N62M2STMicroelectronicsSTD10NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 13A DPAK
STD1063T4onsemiNFET DPAK SPCL 500V TRSTD10NF06STMicroelectronicsSTD105N10F7AGSTMicroelectronicsSTD10NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 7A DPAKSTD10N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 8A DPAKSTD10LN80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAKSTD10NF06T4STMicroelectronicsSTD10NF10T4 MOSSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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