STB60NH02LT4の技術仕様
STMicroelectronics - STB60NH02LT4技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STB60NH02LT4仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | STripFET™ III | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10.5mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 70W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 24 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STB60N |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STB60NH02LT4と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STB60NH02LT4 | STB60NF10T4 | STB60NF06LT4 | STB60NF06T4 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±15V | ±20V |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | D2PAK | D2PAK | D2PAK |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 32 nC @ 10 V | 104 nC @ 10 V | 66 nC @ 4.5 V | 66 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | STB60N | STB60N | STB60 | STB60 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10.5mOhm @ 30A, 10V | 23mOhm @ 40A, 10V | 14mOhm @ 30A, 10V | 16mOhm @ 30A, 10V |
| 電力消費（最大） | 70W (Tc) | 300W (Tc) | 110W (Tc) | 110W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) | 80A (Tc) | 60A (Tc) | 60A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 24 V | 100 V | 60 V | 60 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | 10V | 5V, 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400 pF @ 15 V | 4270 pF @ 25 V | 2000 pF @ 25 V | 1810 pF @ 25 V |
| シリーズ | STripFET™ III | STripFET™ II | STripFET™ II | STripFET™ II |
STB60NH02LT4 - STMicroelectronicsのSTB60NH02LT4 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STB60NF10T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
STB60NF10T4 MOSSTMicroelectronicsSTB6100/DPHSTMicroelectronicsSTB60NF06LT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 60A D2PAKSTB60NF03LSTMicroelectronicsSTB6100TSTMicroelectronicsSTB6100STMicroelectronicsSTB60NH02LT4 MOSSTMicroelectronics
STB65G0EIC Semiconductor, Inc.STB60NH02LSTMicroelectronicsSTB65E0EIC Semiconductor, Inc.STB6518EIC Semiconductor, Inc.STB60NF06LSTMicroelectronicsSTB65E5EIC Semiconductor, Inc.STB60NF06VBSEMISTB60NF06T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
STB60NF10-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 80A I2PAKSTB6B65M2STMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。