STB60N55F3の技術仕様
STMicroelectronics - STB60N55F3技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STB60N55F3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | STripFET™ III | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.5mOhm @ 32A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2200 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STB60N |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STB60N55F3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STB60N55F3 | STB60NE06L-16T4 | STB5NK52ZD-1 | STB60NF06LT4 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4.5V @ 50µA | 1V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2200 pF @ 25 V | 4150 pF @ 25 V | 529 pF @ 25 V | 2000 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | 70 nC @ 4.5 V | 16.9 nC @ 10 V | 66 nC @ 4.5 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 60 V | 520 V | 60 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.5mOhm @ 32A, 10V | 14mOhm @ 30A, 10V | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V | 14mOhm @ 30A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | 150W (Tc) | 70W (Tc) | 110W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 基本製品番号 | STB60N | STB60N | STB5N | STB60 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | D2PAK | I2PAK | D2PAK |
| シリーズ | STripFET™ III | STripFET™ II | SuperMESH™ | STripFET™ II |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 5V, 10V | 10V | 5V, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | 60A (Tc) | 4.4A (Tc) | 60A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±15V | ±30V | ±15V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
STB60N55F3 - STMicroelectronicsのSTB60N55F3 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STB60NE06L-16T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
STB601A0N/TRSTMicroelectronicsSTB60NE06-16T4STMicroelectronicsSTB6000STMicroelectronicsSTB60NF06LSTMicroelectronicsSTB600A0/TRSTMicroelectronicsSTB60NE03L-12STMicroelectronics
STB60N03VBsemiSTB5NK52ZD-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAKSTB60NF06LT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 60A D2PAKSTB60NF06T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 60A D2PAKSTB60NF10-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 80A I2PAKSTB60N06VBsemiSTB600B0/TRSTMicroelectronicsSTB600B0TRSTMicroelectronicsSTB60N06-14VBsemiSTB60NF06VBSEMISTB6000/DLPSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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