STB5NK50Z-1の技術仕様
STMicroelectronics - STB5NK50Z-1技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STB5NK50Z-1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) | |
| シリーズ | SuperMESH™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 70W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 535 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 28 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.4A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STB5N |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STB5NK50Z-1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STB5NK50Z-1 | STB5NK52ZD-1 | STB5NK50ZT4 | STB600B0/TR |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 28 nC @ 10 V | 16.9 nC @ 10 V | 28 nC @ 10 V | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V | - |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 535 pF @ 25 V | 529 pF @ 25 V | 535 pF @ 25 V | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 50µA | - |
| 電力消費（最大） | 70W (Tc) | 70W (Tc) | 70W (Tc) | - |
| 基本製品番号 | STB5N | STB5N | STB5N | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | SuperMESH™ | SuperMESH™ | SuperMESH™ | - |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.4A (Tc) | 4.4A (Tc) | 4.4A (Tc) | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) | I2PAK | D2PAK | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 520 V | 500 V | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
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STB600B0/TRSTMicroelectronics
STB60N03VBsemiSTB5NA50T4STMicroelectronicsSTB5NC50T4STMicroelectronicsSTB600A0/TRSTMicroelectronicsSTB5NK52ZD-1STMicroelectronicsMOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAKSTB6000STMicroelectronicsSTB5NB60T4STMicroelectronicsSTB5NC50T4 MOSSTMicroelectronicsSTB5NA50 MOSSTMicroelectronicsSTB5NC50-1SILERGYSTB5NA50STMicroelectronicsSTB5NA50T4 MOSSTMicroelectronicsSTB6000/DLPSTMicroelectronicsSTB5NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAKSTB5NA80STMicroelectronicsSTB600B0TRSTMicroelectronicsSTB601A0N/TRSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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