STB28NM60NDの技術仕様
STMicroelectronics - STB28NM60ND技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STB28NM60ND仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | FDmesh™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 150mOhm @ 11.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 190W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2090 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 62.5 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STB28 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STB28NM60NDと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STB28NM60ND | STB30N80K5 | STB270N4F3 | STB28N60M2 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Vgs（最大） | ±25V | ±30V | ±20V | ±25V |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| シリーズ | FDmesh™ II | MDmesh™ K5 | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III | MDmesh™ II Plus |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23A (Tc) | 24A (Tc) | 160A (Tc) | 22A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 100µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2090 pF @ 100 V | 1530 pF @ 100 V | 7400 pF @ 25 V | 1440 pF @ 100 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 800 V | 40 V | 600 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 190W (Tc) | 250W (Tc) | 330W (Tc) | 170W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 基本製品番号 | STB28 | STB30 | STB270 | STB28 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 62.5 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 150mOhm @ 11.5A, 10V | 180mOhm @ 12A, 10V | 2.5mOhm @ 80A, 10V | 150mOhm @ 11A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D2PAK | D²PAK (TO-263) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
STB28NM60ND - STMicroelectronicsのSTB28NM60ND PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
STB30N80K5STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAKSTB270N4F3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
STB3015LSTMicroelectronicsSTB28N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 22A D2PAKSTB28N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
STB30N65M2AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
STB26N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAKSTB30N10SSTMicroelectronicsSTB28NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 21A D2PAKSTB3020LT4STMicroelectronicsSTB3020LSTMicroelectronicsSTB30N10T4STMicroelectronicsSTB270N04 MOSSTMicroelectronicsSTB27NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 21A D2PAKSTB270N04STMicroelectronicsSTB270N4F3-6STMicroelectronicsSTB26NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 20A D2PAKSTB30N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 22A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。