IRF740の技術仕様
STMicroelectronics - IRF740技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - IRF740仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | STMicroelectronics | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
シリーズ | PowerMESH™ II | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 550mOhm @ 5.3A, 10V | |
電力消費(最大) | 125W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1400 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 43 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 400 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A (Tc) | |
基本製品番号 | IRF7 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics IRF740と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | IRF740 | IRF740 | IRF7401PBF | IRF7401TRPBF |
メーカー | STMicroelectronics | Vishay Siliconix | International Rectifier | Infineon Technologies |
パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | 10V | 2.7V, 4.5V | 2.7V, 4.5V |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | TO-220AB | 8-SO | 8-SO |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 550mOhm @ 5.3A, 10V | 550mOhm @ 6A, 10V | 22mOhm @ 4.1A, 4.5V | 22mOhm @ 4.1A, 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1400 pF @ 25 V | 1400 pF @ 25 V | 1600 pF @ 15 V | 1600 pF @ 15 V |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
基本製品番号 | IRF7 | IRF740 | - | IRF7401 |
パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 10A (Tc) | 10A (Tc) | 8.7A (Ta) | 8.7A (Ta) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 43 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 48 nC @ 4.5 V | 48 nC @ 4.5 V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 400 V | 400 V | 20 V | 20 V |
運転温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
電力消費(最大) | 125W (Tc) | 125W (Tc) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 700mV @ 250µA (Min) | 700mV @ 250µA (Min) |
シリーズ | PowerMESH™ II | - | HEXFET® | HEXFET® |
FET特長 | - | - | - | - |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±12V | ±12V |
IRF740 - STMicroelectronicsのIRF740 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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