RMLV0408EGSB-4S2#HA0の技術仕様
Renesas Electronics America Inc - RMLV0408EGSB-4S2#HA0技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - RMLV0408EGSB-4S2#HA0仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 45ns | |
| 電源電圧 - | 2.7V ~ 3.6V | |
| 技術 | SRAM | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 32-TSOP II | |
| シリーズ | - | |
| パッケージ/ケース | 32-SOIC (0.400', 10.16mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| メモリタイプ | Volatile | |
| 記憶容量 | 4Mbit | |
| メモリ組織 | 512K x 8 | |
| メモリインタフェース | Parallel | |
| メモリ形式 | SRAM | |
| 基本製品番号 | RMLV0408 | |
| アクセス時間 | 45 ns |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc RMLV0408EGSB-4S2#HA0と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RMLV0408EGSB-4S2#HA0 | S29GL512T10FHI030 | RMLV0408EGSB-4S2#AA1 | RMLV0816BGSA-4S2#AA0 |
| メーカー | Renesas Electronics America Inc | Infineon Technologies | Rochester Electronics, LLC | Renesas Electronics America Inc |
| メモリ形式 | SRAM | FLASH | SRAM | SRAM |
| 電源電圧 - | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.4V ~ 3.6V |
| パッケージ/ケース | 32-SOIC (0.400', 10.16mm Width) | 64-LBGA | 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| 技術 | SRAM | FLASH - NOR | SRAM - Asynchronous | SRAM |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 45ns | 60ns | 45ns | 45ns |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 記憶容量 | 4Mbit | 512Mbit | 4Mbit | 8Mbit |
| アクセス時間 | 45 ns | 100 ns | 45 ns | 45 ns |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tray | Bulk | Tube |
| シリーズ | - | GL-T | - | - |
| メモリタイプ | Volatile | Non-Volatile | Volatile | Volatile |
| 基本製品番号 | RMLV0408 | S29GL512 | - | RMLV0816 |
| メモリインタフェース | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| サプライヤデバイスパッケージ | 32-TSOP II | 64-FBGA (13x11) | 32-TSOP II | 48-TSOP I |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| メモリ組織 | 512K x 8 | 64M x 8 | 512K x 8 | 1M x 8, 512K x 16 |
RMLV0408EGSB-4S2#HA0 - Renesas Electronics America IncのRMLV0408EGSB-4S2#HA0 PDFデータテーブルとRenesas Electronics America Incドキュメントをダウンロード
S29GL512T10FHI030Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGARMLV0408EGSB-4S2#AA1Rochester Electronics, LLCR5F51305BDFP#50 - 4Mb Advanced L
RMLV0416EGBG-4S2Renesas Electronics CorporationRMLV0816BGSA-4S2#AA0Renesas Electronics America IncIC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
RMLV0416EGSB-4S2#AA1Renesas Electronics America IncIC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP IIRMLV0408EGSA-4S2Renesas Electronics Corporation
RMLV0816BGSB-4S2#AA0Renesas Electronics America IncIC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP IIRMLV0414EGSB-4S2RENRSAS
RMLV0408EGSA-4S2#AA1Renesas Electronics America IncIC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP IRMLMK105BJ224KV-FTAIYO
W971GG8SB-25Winbond ElectronicsIC DRAM 1GBIT PARALLEL 60WBGARMLV0414EGSB-4S2#AA1Renesas Electronics America IncIC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP IIRMLV0408EGSA-4S2#KA1Renesas Electronics America IncIC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I
RMLV0416EGBG-4S2#AC0Renesas Electronics America IncIC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
RMLV0408EGSB-4S2#AA1Renesas Electronics America IncIC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II
AT49F4096A-70TCMicrochip TechnologyIC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP
M24C32-FCU6TP/TFSTMicroelectronicsIC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 4WLCSPRMLV0416EGSB-4S2RENRSAS| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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