R1LV5256ESP-5SI#B0の技術仕様
Renesas Electronics America - R1LV5256ESP-5SI#B0技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America - R1LV5256ESP-5SI#B0仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 55ns | |
| 電源電圧 - | 2.7 V ~ 3.6 V | |
| 技術 | SRAM | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 28-SOP | |
| シリーズ | - | |
| パッケージング | Tube | |
| パッケージ/ケース | 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| メモリタイプ | Volatile | |
| 記憶容量 | 256Kb (32K x 8) | |
| メモリインタフェース | Parallel | |
| メモリ形式 | SRAM | |
| メーカーの標準リードタイム | 18 Weeks | |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
| 詳細な説明 | SRAM Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 55ns 28-SOP | |
| ベース部品番号 | R1LV5256E | |
| アクセス時間 | 55ns |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America R1LV5256ESP-5SI#B0と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | R1LV5256ESP-5SI#B0 | R1LV5256ESP-7SR#S0 | R1LV5256ESA-5SI#S0 | R1LV5256ESA-5SR#S0 |
| メーカー | Renesas Electronics America | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| メモリ形式 | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| パッケージ/ケース | 28-SOIC (0.330", 8.38mm Width) | 28-SOIC (0.342', 8.69mm Width) | 28-TSSOP (0.465', 11.80mm Width) | 28-TSSOP (0.465', 11.80mm Width) |
| 電源電圧 - | 2.7 V ~ 3.6 V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V | 2.7V ~ 3.6V |
| アクセス時間 | 55ns | 70 ns | 55 ns | 55 ns |
| シリーズ | - | - | - | - |
| メモリタイプ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| 運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| メーカーの標準リードタイム | 18 Weeks | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 28-SOP | 28-SOP | 28-TSOP I | 28-TSOP |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 55ns | 70ns | 55ns | 55ns |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| メモリインタフェース | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| 記憶容量 | 256Kb (32K x 8) | 256Kbit | 256Kbit | 256Kbit |
| ベース部品番号 | R1LV5256E | - | - | - |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| 詳細な説明 | SRAM Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 55ns 28-SOP | - | - | - |
| 技術 | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| パッケージング | Tube | - | - | - |
R1LV5256ESP-5SI#B0 - Renesas Electronics AmericaのR1LV5256ESP-5SI#B0 PDFデータテーブルとRenesas Electronics Americaドキュメントをダウンロード
R1LV5256ESP-7SR#S0Renesas Electronics America IncIC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP
R1LV5256ESA-5SIRenesas Electronics CorporationR1LV3216RSA-5SIRenesas Electronics CorporationR1LV5256ESA-5SI#S0Renesas Electronics America IncIC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP IR1LV5256ESP-7SRRenesas Electronics CorporationR1LV1616RSD-5SIRenesas Electronics CorporationR1LV3216RSD-5SIRenesasR1LV3216RSD-5SI#B0RenesasR1LV1616RSA-7SRRenesasR1LV1616RSA-7SI#B0RenesasR1LV5256ESP-7SR#BRenesas Electronics CorporationR1LV5256ESA-5SR#S0Renesas Electronics America IncIC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOPR1LV3216RSA-5SI#B0RenesasR1LV5256ESA-7SRRenesas Electronics CorporationR1LV5256ESA-5SI#S1Renesas Electronics America IncIC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP IR1LV1616RSD-7SIRenesas
R1LV1616RSD-5SI#B0Renesas Electronics America IncIC SRAM 16MBIT PAR 52TSOP IIR1LV3216RSA-7SRRenesas Electronics Corporation| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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