NP89N04PUK-E1-AYの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - NP89N04PUK-E1-AY技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - NP89N04PUK-E1-AY仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.95mOhm @ 45A, 5V | |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta), 147W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5850 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 102 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NP89N04 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc NP89N04PUK-E1-AYと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NP89N04PUK-E1-AY | NP88N04KUG-E1-AY | NP88N03KDG-E1-AZ | NP88N03KDG MOS |
| メーカー | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics Corporation | NEC |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | - | - |
| 基本製品番号 | NP89N04 | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 90A (Tc) | 88A (Tc) | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5850 pF @ 25 V | 15000 pF @ 25 V | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.95mOhm @ 45A, 5V | 2.9mOhm @ 44A, 10V | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 102 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263 | TO-263 (D²Pak) | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 40 V | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | - |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta), 147W (Tc) | 1.8W (Ta), 200W (Tc) | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| 運転温度 | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | - | - |
NP89N04PUK-E1-AY - Renesas Electronics America IncのNP89N04PUK-E1-AY PDFデータテーブルとRenesas Electronics America Incドキュメントをダウンロード
NP88N03KDG-E1-AZRenesas Electronics CorporationNP88N03KDG MOSNECNP88N075CUEVBSEMINP88N04KUG-E1-AYRenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 40V 88A TO263NP88N075KUE-E1NECNP88N055MHEVBsemiNP88N055KHERenesas Electronics CorporationNP89N04PUK-E1-AY MOSRenesas Electronics CorporationNP88N04CHERenesas Electronics CorporationNP88N055ELENECNP88N04KUGVBSEMINP88N055CHENECNP89N04ZUGRenesas Electronics CorporationNP88N04NUG MOSRenesas Electronics Corporation
NP8P128A13TSM60EMicron Technology Inc.IC PCM 128MBIT PARALLEL 56TSOPNP88N03KDG-E1NECNP88N055KUGVBsemiNP88N04KUG-E1NEC/RENESAS| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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