NP52N06SLG-E1-AYの技術仕様
Renesas Electronics America - NP52N06SLG-E1-AY技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America - NP52N06SLG-E1-AY仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 電圧 - テスト | 2100pF @ 10V | |
| 電圧 - ブレークダウン | TO-252 (MP-3ZK) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 17.5 mOhm @ 26A, 10V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| RoHSステータス | Tape & Reel (TR) | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 52A (Tc) | |
| 偏光 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| 他の名前 | NP52N06SLG-E1-AY-ND NP52N06SLG-E1-AYTR |
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| 運転温度 | 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| メーカーの標準リードタイム | 16 Weeks | |
| 製造元の部品番号 | NP52N06SLG-E1-AY | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 39nC @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | |
| FET特長 | N-Channel | |
| 拡張された説明 | N-Channel 60V 52A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK) | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | |
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 52A TO252 | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60V | |
| 静電容量比 | 1.2W (Ta), 56W (Tc) |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America NP52N06SLG-E1-AYと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NP52N06SLG-E1-AY | NP55N03SUG-E1-AY | NP50P06SDG-E1-AY | NP50P06KDG-E1-AY |
| メーカー | Renesas Electronics America | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| FET特長 | N-Channel | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | 30 V | 60 V | 60 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | 93 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V | 95 nC @ 10 V |
| 静電容量比 | 1.2W (Ta), 56W (Tc) | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 39nC @ 10V | 5300 pF @ 25 V | 5000 pF @ 10 V | 5000 pF @ 10 V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 他の名前 | NP52N06SLG-E1-AY-ND NP52N06SLG-E1-AYTR |
- | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 52A (Tc) | 5mOhm @ 28A, 10V | 16.5mOhm @ 25A, 10V | 17mOhm @ 25A, 10V |
| 電圧 - ブレークダウン | TO-252 (MP-3ZK) | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60V | 55A (Tc) | 50A (Tc) | 50A (Tc) |
| メーカーの標準リードタイム | 16 Weeks | - | - | - |
| RoHSステータス | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| 偏光 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - | - |
| 製造元の部品番号 | NP52N06SLG-E1-AY | - | - | - |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 拡張された説明 | N-Channel 60V 52A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK) | - | - | - |
| 電圧 - テスト | 2100pF @ 10V | - | - | - |
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 52A TO252 | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 17.5 mOhm @ 26A, 10V | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 1mA |
NP52N06SLG-E1-AY - Renesas Electronics AmericaのNP52N06SLG-E1-AY PDFデータテーブルとRenesas Electronics Americaドキュメントをダウンロード
NP50P06KDG-E2-AYRenesas Electronics CorporationNP50P06SDG MOSRenesas Electronics CorporationNP55N04SUG-E1-AYRENENP55N03SUG-E2-AYRenesas Electronics CorporationNP55N03SUG MOSNECNP55N03SUG-E1-AYRenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 30V 55A TO252NP50P04ZDG(1)P-E1Renesas Electronics CorporationNP50P06SDGVBSEMINP50P06SDG-E1-AYRenesas Electronics America IncMOSFET P-CH 60V 50A TO-252NP55N04SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationNP52N055SUGRENENP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics America IncMOSFET P-CH 60V 50A TO263NP55N04SUG MOSRenesas Electronics CorporationNP55N03SUGRENENP50P04SLG-E2-AY MOSRenesas Electronics CorporationNP55N04SUGRENENP52N055SUG MOSRenesas Electronics CorporationNP52N06SLGRENE| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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