NP45N06VUK-E1-AYの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - NP45N06VUK-E1-AY技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - NP45N06VUK-E1-AY仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-3 | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.6mOhm @ 23A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta), 75W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 175°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2540 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 45A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NP45N06 |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc NP45N06VUK-E1-AYと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NP45N06VUK-E1-AY | NP45N06VDK-E1-AY | NP40N10PDF-E1-AY | APT12F60K |
| メーカー | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Microsemi Corporation |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 5V @ 500µA |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 100 V | 600 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9.6mOhm @ 23A, 10V | 11.6mOhm @ 23A, 10V | 27mOhm @ 20A, 10V | 620mOhm @ 6A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta), 75W (Tc) | 1.2W (Ta), 75W (Tc) | 1.8W (Ta), 120W (Tc) | 225W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-3 | TO-252 (MP-3ZP) | TO-263 (D²Pak) | TO-220 [K] |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2540 pF @ 25 V | 2300 pF @ 25 V | 3150 pF @ 25 V | 2200 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 45A (Tc) | 45A (Tc) | 40A (Tc) | 12A (Tc) |
| 運転温度 | 175°C | 175°C | 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 71 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V |
| 基本製品番号 | NP45N06 | NP45N06 | - | APT12F60 |
NP45N06VUK-E1-AY - Renesas Electronics America IncのNP45N06VUK-E1-AY PDFデータテーブルとRenesas Electronics America Incドキュメントをダウンロード
NP40N10VDFRenesas Electronics CorporationNP40N10VDF-E1-AY MOSRenesas Electronics CorporationNP40N10P/DF-E1/AYRenesas Electronics Corporation
NP40N055CHE MOSNECNP45N06VDK-E1-AYRenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 60V 45A TO252NP40N10PDF-E1-AYRenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 100V 40A TO263APT12F60KMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 600V 12A TO220NP40N10PDF-E1/AYRenesas Electronics CorporationNP40N10VDF-E1-AYRenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 100V 40A TO252NP40N10PDFE1AYRenesas Electronics CorporationNP45N06VUK-E2-AYRenesas Electronics CorporationNP40N10PDF-E1-AY MOSRenesas Electronics CorporationNP40N10VDF-E2-AYRenesas Electronics America IncTRANSISTORNP45N06PUKRenesas Electronics CorporationNP40N10/VDF-E1-AYRenesas Electronics CorporationNP45N06VUK-E1-AY MOSRenesas Electronics CorporationNP40N10VDF-E1-/AYRenesas Electronics CorporationNP45N06PUK-E1-AYRenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 60V 45A TO263| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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