NE3515S02-T1D-Aの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - NE3515S02-T1D-A技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - NE3515S02-T1D-A仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
電圧 - テスト | 2 V | |
電圧 - 定格 | 4 V | |
技術 | HFET | |
サプライヤデバイスパッケージ | S02 | |
シリーズ | - | |
電力出力 | 14dBm |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | 4-SMD, Flat Leads | |
パッケージ | Bulk | |
雑音指数 | 0.3dB | |
利得 | 12.5dB | |
周波数 | 12GHz | |
現在の評価(AMP) | 88mA | |
電流 - テスト | 10 mA |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc NE3515S02-T1D-Aと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | NE3515S02-T1D-A | NE3515S02-T1C-A | NE3521M04-T2-A | NE3517S03-T1C-A |
メーカー | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | CEL | Renesas Electronics America Inc |
周波数 | 12GHz | 12GHz | 20GHz | 20GHz |
雑音指数 | 0.3dB | 0.3dB | 0.85dB | 0.7dB |
利得 | 12.5dB | 12.5dB | 11dB | 13.5dB |
パッケージ/ケース | 4-SMD, Flat Leads | 4-SMD, Flat Leads | 4-SMD, Flat Leads | 4-SMD, Flat Leads |
電力出力 | 14dBm | 14dBm | - | - |
技術 | HFET | HFET | GaAs HJ-FET | HFET |
電圧 - テスト | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V |
現在の評価(AMP) | 88mA | 88mA | 70mA | 15mA |
電圧 - 定格 | 4 V | 4 V | 4 V | 4 V |
電流 - テスト | 10 mA | 10 mA | 6 mA | 10 mA |
シリーズ | - | - | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | S02 | S02 | - | S03 |
パッケージ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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