ISL89163FBEBZの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - ISL89163FBEBZ技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - ISL89163FBEBZ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 電源電圧 - | 4.5V ~ 16V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC-EP | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 20ns, 20ns | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.85V, 3.15V | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Low-Side | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 6A, 6A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | |
| 基本製品番号 | ISL89163 |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc ISL89163FBEBZと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ISL89163FBEBZ | ISL89163FBEBZ-T | ISL89401ABZ | ISL89168FRTAZ |
| メーカー | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 6A, 6A | 6A, 6A | 1.25A, 1.25A | 6A, 6A |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC-EP | 8-SOIC-EP | 8-SOIC | 8-TDFN (3x3) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-WDFN Exposed Pad |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 20ns, 20ns | 20ns, 20ns | 16ns, 16ns | 20ns, 20ns |
| 電源電圧 - | 4.5V ~ 16V | 4.5V ~ 16V | 9V ~ 14V | 4.5V ~ 16V |
| 基本製品番号 | ISL89163 | ISL89163 | ISL89401 | ISL89168 |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 駆動構成 | Low-Side | Low-Side | Half-Bridge | Low-Side |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.85V, 3.15V | 1.85V, 3.15V | 1.4V, 2.2V | 1.22V, 2.08V |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | Independent | Independent | Independent |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ISL89163FBEBZ - Renesas Electronics America IncのISL89163FBEBZ PDFデータテーブルとRenesas Electronics America Incドキュメントをダウンロード
ISL89163FBEBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ISL88739HRZ-TRenesas Electronics America IncIC BATT CHG LI-ION 2-4CELL 32QFN
ISL88739AHRZ-TRenesas Electronics America IncIC BATT CHG LI-ION 2-4CELL 32QFNISL89401ABZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICISL89168FRTAZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR LOW-SIDE 8TDFNISL88739BHRZ-TRenesas Electronics America IncIC BATT CHG LI-ION 2-4CELL 32QFNISL88813IB846ZRenesas Electronics America IncIC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOICISL88750HRZRenesas Electronics America IncIC BATT CHG LI-ION 2-4CELL 32QFNISL89163FBECZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ISL88813IP846ZRenesas Electronics America IncIC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8DIPISL89165FRTAZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR LOW-SIDE 8TDFNISL89168FRTAZIntersilAND GATE BASED MOSFET DRIVERISL89163FRTAZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR LOW-SIDE 8TDFN
ISL88813IP846ZIntersilIC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8DIPISL88739HRZRenesas Electronics America IncIC BATT CHG LI-ION 2-4CELL 32QFN
ISL89400AR3ZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9DFNISL89164FRTBZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR LOW-SIDE 8TDFNISL88739BHRZRenesas Electronics America IncIC BATT CHG LI-ION 2-4CELL 32QFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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