ISL6614ACRZ-Tの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - ISL6614ACRZ-T技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - ISL6614ACRZ-T仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 電源電圧 - | 10.8V ~ 13.2V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 16-QFN (4x4) | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 26ns, 18ns | |
| パッケージ/ケース | 16-VQFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | 0°C ~ 125°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 4 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | - | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 36 V | |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 1.25A, 2A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | |
| 基本製品番号 | ISL6614 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 3 (168 Hours) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc ISL6614ACRZ-Tと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ISL6614ACRZ-T | ISL6614BCRZ | ISL6614ACBZ | ISL6614ACRZ-T |
| メーカー | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Intersil |
| 基本製品番号 | ISL6614 | ISL6614 | ISL6614 | ISL6614 |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 36 V | 36 V | 36 V | 36 V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 16-QFN (4x4) | 16-QFN (4x4) | 14-SOIC | 16-QFN (4x4) |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 26ns, 18ns | 26ns, 18ns | 26ns, 18ns | 26ns, 18ns |
| 運転温度 | 0°C ~ 125°C (TJ) | 0°C ~ 125°C (TJ) | 0°C ~ 125°C (TJ) | 0°C ~ 125°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | 16-VQFN Exposed Pad | 16-VQFN Exposed Pad | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 16-VQFN Exposed Pad |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | Synchronous | Synchronous | Synchronous |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Bulk |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力周波数 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 電源電圧 - | 10.8V ~ 13.2V | 7V ~ 13.2V | 10.8V ~ 13.2V | 10.8V ~ 13.2V |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 1.25A, 2A | 1.25A, 2A | 1.25A, 2A | 1.25A, 2A |
ISL6614ACRZ-T - Renesas Electronics America IncのISL6614ACRZ-T PDFデータテーブルとRenesas Electronics America Incドキュメントをダウンロード
ISL6614BCRZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFNISL6614ACBZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICISL6614ACRZ-TIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,
ISL6614ACBIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERISL6614CBZIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERISL6614ACBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICISL6614BCRZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFNISL6614ACBZARenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICISL6614CBZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICISL6614ACBZAIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERISL6614CBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICISL6614ACBZA-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICISL6614CBIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERISL6614ACB-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICISL6614CBRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICISL6614ACRZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFNISL6614CB-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICISL6614ACB-TIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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