ISL2111ARTZの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - ISL2111ARTZ技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - ISL2111ARTZ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 電源電圧 - | 8V ~ 14V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 10-TDFN (4x4) | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 9ns, 7.5ns | |
| パッケージ/ケース | 10-WDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.4V, 2.2V | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 114 V | |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 3A, 4A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | |
| 基本製品番号 | ISL2111 |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc ISL2111ARTZと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ISL2111ARTZ | ISL2110AR4Z | ISL2110AR4Z-T | ISL2111AR4Z-T |
| メーカー | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 9ns, 7.5ns | 9ns, 7.5ns | 9ns, 7.5ns | 9ns, 7.5ns |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 電源電圧 - | 8V ~ 14V | 8V ~ 14V | 8V ~ 14V | 8V ~ 14V |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| サプライヤデバイスパッケージ | 10-TDFN (4x4) | 12-DFN (4x4) | 12-DFN (4x4) | 12-DFN (4x4) |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 114 V | 114 V | 114 V | 114 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | ISL2111 | ISL2110 | ISL2110 | ISL2111 |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 3A, 4A | 3A, 4A | 3A, 4A | 3A, 4A |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | Independent | Independent | Independent |
| パッケージ/ケース | 10-WDFN Exposed Pad | 12-VFDFN Exposed Pad | 12-VFDFN Exposed Pad | 12-VFDFN Exposed Pad |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.4V, 2.2V | 3.7V, 7.4V | 3.7V, 7.4V | 1.4V, 2.2V |
ISL2111ARTZ - Renesas Electronics America IncのISL2111ARTZ PDFデータテーブルとRenesas Electronics America Incドキュメントをダウンロード
ISL21090BFB850Z-TKRenesas Electronics America IncIC VREF SERIES 0.025% 8SOIC
ISL22316UFRT10ZRenesas Electronics America IncIC DGTL POT 50KOHM 128TAP 10TDFN
ISL21400IU8Z-TKIntersilIC VREF SERIES ADJ 8MSOPISL2110AR4ZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFNISL2110AR4Z-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFNISL2111AR4Z-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN
ISL21090BFB875Z-TKRenesas Electronics America IncIC VREF SERIES 0.035% 8SOICISL2110ABZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICISL2111ABZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ISL21440IUZRenesas Electronics America IncIC COMPARATOR 1 W/VOLT REF 8MSOPISL2111ABZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ISL2111BR4ZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
ISL22313WFU10ZRenesas Electronics America IncIC DGTL POT 10KOHM 256TAP 10MSOPISL2110ABZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICISL22313UFU10ZRenesas Electronics America IncIC DGTL POT 50KOHM 256TAP 10MSOP
ISL22102IR20ZRenesas Electronics America IncIC DGT POT 18.5KOHM 32TAP 20QFNISL2111BR4Z-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFNISL2111ARTZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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