HVB187YPTR-Eの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - HVB187YPTR-E技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - HVB187YPTR-E仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | - | |
電圧 - 逆(VR)(最大) | - | |
サプライヤデバイスパッケージ | - | |
速度 | - | |
逆回復時間(trrの) | - | |
パッケージ/ケース | - |
製品属性 | 属性値 | |
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動作温度 - ジャンクション | - | |
装着タイプ | - | |
ダイオードタイプ | - | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | - | |
電流 - 平均整流(イオ) | - | |
Vrと、F @キャパシタンス | - |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc HVB187YPTR-Eと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | HVB187YPTR-E | CDSUR101A | MUH1PB-M3/89A | 1N2068R |
メーカー | Renesas Electronics America Inc | Comchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. |
ダイオードタイプ | - | - | - | - |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | - | 1 V @ 100 mA | 1.05 V @ 1 A | 1.3 V @ 300 A |
逆回復時間(trrの) | - | 4 ns | 40 ns | - |
パッケージ/ケース | - | 2-SMD, No Lead | MicroSMP | DO-205AB, DO-9, Stud |
Vrと、F @キャパシタンス | - | 3pF @ 0.5V, 1MHz | - | - |
電流 - 平均整流(イオ) | - | 100mA | 1A | 275A |
動作温度 - ジャンクション | - | 125°C (Max) | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 190°C |
装着タイプ | - | Surface Mount | Surface Mount | Stud Mount |
速度 | - | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
サプライヤデバイスパッケージ | - | 0603/SOD-523F | MicroSMP (DO-219AD) | DO-9 |
電圧 - 逆(VR)(最大) | - | 80 V | 100 V | 1000 V |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | - | 50 nA @ 75 V | 1 µA @ 100 V | 75 µA @ 1000 V |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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