HSG1002VE-TL-Eの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - HSG1002VE-TL-E技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - HSG1002VE-TL-E仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 3.5V | |
トランジスタ型式 | NPN | |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-MFPAK | |
シリーズ | - | |
電力 - 最大 | 200mW | |
パッケージ/ケース | 4-SMD, Gull Wing |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
ノイズ指数(F @デシベル標準) | 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz | |
装着タイプ | Surface Mount | |
利得 | 8dB ~ 19.5dB | |
周波数 - トランジション | 38GHz | |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 100 @ 5mA, 2V | |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 35mA |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc HSG1002VE-TL-Eと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | HSG1002VE-TL-E | HSG2001VF-01TL-E | MRF581 | MMBTH10 |
メーカー | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Microsemi Corporation | onsemi |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 100 @ 5mA, 2V | - | 50 @ 50mA, 5V | 60 @ 4mA, 10V |
電力 - 最大 | 200mW | - | 1.25W | 225mW |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-MFPAK | - | Micro-X ceramic (84C) | SOT-23-3 |
ノイズ指数(F @デシベル標準) | 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz | - | 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz | - |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 35mA | - | 200mA | 50mA |
パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
利得 | 8dB ~ 19.5dB | - | 13dB ~ 15.5dB | - |
周波数 - トランジション | 38GHz | - | 5GHz | 650MHz |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 3.5V | - | 18V | 25V |
トランジスタ型式 | NPN | - | NPN | NPN |
パッケージ/ケース | 4-SMD, Gull Wing | - | Micro-X ceramic (84C) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
シリーズ | - | * | - | - |
装着タイプ | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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