画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
HAT2196C-EL-E - Renesas
- メーカー 部品型番
- HAT2196C-EL-E
- Allelco 部品型番
- 32D-HAT2196C-EL-E
- ECADモデル
- モデルの説明
- HAT2196C - N-CHANNEL POWER MOSFE
- 詳細な説明
- パッケージ
- 6-SMD, Flat Leads
- データシート
HAT2196C-EL-E.pdf
- 在庫あり: 130640
HAT2196C-EL-Eの技術仕様
Renesas - HAT2196C-EL-E技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas - HAT2196C-EL-E仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.4V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-CMFPAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 58mOhm @ 1.3A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 850mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 270 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.8 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Ta) |
右側の三つのパーツはRenesas HAT2196C-EL-Eと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HAT2196C-EL-E | HAT2195R-EL-E | HAT2197R-EL-E | HAT2187WP-EL-E |
| メーカー | Renesas | Renesas | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics Corporation |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 30 V | 30 V | - |
| Vgs（最大） | ±12V | ±20V | ±20V | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Ta) | 18A | 16A (Ta) | - |
| 運転温度 | 150°C | -55°C ~ 150°C | 150°C (TJ) | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | - |
| 電力消費（最大） | 850mW (Ta) | 2.5W | 2.5W (Ta) | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.8 nC @ 4.5 V | 23 nC @ 4.5 V | 18 nC @ 4.5 V | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.4V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-CMFPAK | 8-SOP | 8-SOP | - |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 270 pF @ 10 V | 3400 pF @ 10 V | 2650 pF @ 10 V | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 58mOhm @ 1.3A, 4.5V | 5.8mOhm @ 9A, 10V | 6.7mOhm @ 8A, 10V | - |
HAT2187WP-EL-ERenesas Electronics CorporationHAT2191WP-EL-ERenesas Electronics CorporationHAT2195R-EL-EZZZZRenesas Electronics CorporationHAT2193WP-EL-ERenesas Electronics CorporationHAT2197RRenesas Electronics CorporationHAT2198Renesas Electronics CorporationHAT2195R01-EL-ERENESAHAT2198RJRenesas Electronics CorporationHAT2198RRenesas Electronics CorporationHAT2198R01TOSHIAHAT2195R-EL-ERenesasHAT2195R - N Channel MOSFET HighHAT2198R-EL-ERenesas Electronics CorporationHAT2195RRenesas Electronics CorporationHAT2197R-EL-ERenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 30V 16A 8SOPHAT2195WP-ELRenesas Electronics CorporationHAT2198R01-EL-ERenesas Electronics CorporationHAT2198WP-ELRenesas Electronics CorporationHAT2195ROI-EL-EHITACHI| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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