HAT2173H-EL-Eの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - HAT2173H-EL-E技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - HAT2173H-EL-E仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 6V @ 20mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | LFPAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 12.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SC-100, SOT-669 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4350 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 8V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Ta) | |
| 基本製品番号 | HAT2173 |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc HAT2173H-EL-Eと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HAT2173H-EL-E | HAT2170H-EL-E | HAT2171H-EL-E | HAT2173N-EL-E |
| メーカー | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| サプライヤデバイスパッケージ | LFPAK | LFPAK | LFPAK | 8-LFPAK-iV |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Ta) | 45A (Ta) | 40A (Ta) | 25A (Ta) |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) | 30W (Tc) | 25W (Tc) | 30W (Tc) |
| 基本製品番号 | HAT2173 | HAT2170 | HAT2171 | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4350 pF @ 10 V | 4650 pF @ 10 V | 3750 pF @ 10 V | 4350 pF @ 10 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 12.5A, 10V | 4.2mOhm @ 22.5A, 10V | 4.8mOhm @ 20A, 10V | 15.3mOhm @ 12.5A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 61 nC @ 10 V | 62 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 61 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | SC-100, SOT-669 | SC-100, SOT-669 | SC-100, SOT-669 | 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 8V, 10V | 7V, 10V | 7V, 10V | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 40 V | 40 V | 100 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 6V @ 20mA | 3V @ 1mA | - | 6V @ 20mA |
HAT2173H-EL-E - Renesas Electronics America IncのHAT2173H-EL-E PDFデータテーブルとRenesas Electronics America Incドキュメントをダウンロード
HAT2172H-ELRenesas Electronics CorporationHAT2173H-EL-T1Renesas Electronics CorporationHAT2169N-ELRenesas Electronics CorporationHAT2170H-EL-ERenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 40V 45A LFPAKHAT2173N-ELRenesas Electronics CorporationHAT2183WPRENESAHAT2171H-EL-ERenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 40V 40A LFPAKHAT2173N-EL-ERenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 100V 25A 8LFPAKHAT2170H-ELRenesas Electronics CorporationHAT2175H-EL-ERenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 100V 15A LFPAKHAT2172N-EL-ERenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 40V 30A 8LFPAKHAT2171-EL-ERenesas Electronics CorporationHAT2180RP-EL-ERenesas Electronics CorporationHAT2169H-EL-EERenesas Electronics CorporationHAT2174H-EL-ERenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 100V 20A LFPAKHAT2183WP-EL-ERenesas Electronics CorporationHAT2183WP-ELRenesas Electronics CorporationHAT2172H-EL-ERenesas Electronics America IncMOSFET N-CH 40V 30A LFPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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