2SJ243-T1-Aの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - 2SJ243-T1-A技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - 2SJ243-T1-A仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.3V @ 10µA | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-75-3, USM | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 25Ohm @ 10mA, 4V | |
パッケージ/ケース | SC-75, SOT-416 |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 16 pF @ 5 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100mA (Ta) |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc 2SJ243-T1-Aと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 2SJ243-T1-A | 2SJ244JYTR-E | 2SJ223S | 2SJ2284-103592F |
メーカー | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | NEC | SINGATRON |
パッケージ/ケース | SC-75, SOT-416 | - | - | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 25Ohm @ 10mA, 4V | - | - | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100mA (Ta) | - | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-75-3, USM | - | - | - |
FETタイプ | P-Channel | - | - | - |
装着タイプ | Surface Mount | - | - | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | - | - | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 16 pF @ 5 V | - | - | - |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
パッケージ | Bulk | Bulk | - | - |
FET特長 | - | - | - | - |
シリーズ | - | * | - | - |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.3V @ 10µA | - | - | - |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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