2SJ162-Eの技術仕様
Renesas - 2SJ162-E技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas - 2SJ162-E仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.45V @ 100mA | |
Vgs(最大) | ±15V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - | |
電力消費(最大) | 100W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
パッケージ | Bulk | |
運転温度 | 150°C | |
装着タイプ | Through Hole | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 900 pF @ 10 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 160 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7A (Ta) |
右側の三つのパーツはRenesas 2SJ162-Eと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | 2SJ162-E | 2SJ161 | 2SJ141 J141 | 2SJ160 |
メーカー | Renesas | HITACHI | NEC | HITACHI |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | - | - | - |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 900 pF @ 10 V | - | - | - |
Vgs(最大) | ±15V | - | - | - |
運転温度 | 150°C | - | - | - |
装着タイプ | Through Hole | - | - | - |
電力消費(最大) | 100W (Tc) | - | - | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 160 V | - | - | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | - | - | - |
FET特長 | - | - | - | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - | - | - | - |
FETタイプ | P-Channel | - | - | - |
シリーズ | - | - | - | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7A (Ta) | - | - | - |
パッケージ | Bulk | - | - | - |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.45V @ 100mA | - | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | - | - | - |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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