1SS83TD-Eの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - 1SS83TD-E技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - 1SS83TD-E仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1 V @ 100 mA | |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 250 V | |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 | |
シリーズ | - | |
逆回復時間(trrの) | 100 ns | |
パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bulk | |
動作温度 - ジャンクション | 175°C | |
装着タイプ | Through Hole | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 200 nA @ 250 V | |
電流 - 平均整流(イオ) | 200mA | |
Vrと、F @キャパシタンス | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc 1SS83TD-Eと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | 1SS83TD-E | 1SS427,L3M | 1SS427 L3M | 1SS427L3F |
メーカー | Renesas Electronics America Inc | Toshiba Semiconductor and Storage | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora |
シリーズ | - | - | - | - |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1 V @ 100 mA | 1.2 V @ 100 mA | - | - |
装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | - | - |
動作温度 - ジャンクション | 175°C | -55°C ~ 150°C | - | - |
Vrと、F @キャパシタンス | 1.5pF @ 0V, 1MHz | 0.3pF @ 0V, 1MHz | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 | SOD-923 | - | - |
パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | SOD-923 | - | - |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 200 nA @ 250 V | 500 nA @ 80 V | - | - |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 250 V | 80 V | - | - |
パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | - | - |
電流 - 平均整流(イオ) | 200mA | 100mA | - | - |
逆回復時間(trrの) | 100 ns | 1.6 ns | - | - |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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