BZM55B3V9の技術仕様
Rectron USA - BZM55B3V9技術仕様、属性、パラメーター、およびRectron USA - BZM55B3V9仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Rectron USA | |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 3.9 V | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | - | |
公差 | - | |
サプライヤデバイスパッケージ | MicroMELF | |
電力 - 最大 | 500 mW |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ/ケース | 2-SMD, No Lead | |
運転温度 | - | |
装着タイプ | - | |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 85 Ohms | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 2 µA @ 1 V |
右側の三つのパーツはRectron USA BZM55B3V9と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | BZM55B3V9 | BZM55B43-TR | BZM55B27-TR | BZM55B3V9-TR |
メーカー | Rectron USA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
パッケージ/ケース | 2-SMD, No Lead | 2-SMD, No Lead | 2-SMD, No Lead | 2-SMD, No Lead |
運転温度 | - | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
インピーダンス(最大)(ZZT) | 85 Ohms | 600 Ohms | 220 Ohms | 600 Ohms |
サプライヤデバイスパッケージ | MicroMELF | MicroMELF | MicroMELF | MicroMELF |
公差 | - | - | - | - |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 2 µA @ 1 V | 100 nA @ 33 V | 100 nA @ 20 V | 2 µA @ 1 V |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | - | 1.5 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA |
装着タイプ | - | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
電力 - 最大 | 500 mW | 500 mW | 500 mW | 500 mW |
電圧 - ツェナー(公称値)(Vzは) | 3.9 V | 43 V | 27 V | 3.9 V |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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